发射极相关论文
理论研究表明，高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能。本文优化了......
通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶......
摘要：课程思政是新时期加强高校思想政治教育工作的重要载体，担负着与思政课程协同育人的重要使命。本文着重研究了以下问题，即如何在......
工程师们早就知道,只要把所有导线串联连接起来,再用欧姆表进行检测,就可以测出电缆是否存在开断故障.然而,这种方法有时是无法使......
一、接8Ω负载的功率放大器rn在前一篇中所介绍的图1 1的放大器是针对接8 Ω扬声器设计的.为了便于读者阅读在图15中重登一次.需要......
(上接2002年第23期)rn放大器是由晶体三极管或场效应管等具有正向受控作用的器件以及输入信号源、负载电阻、直流电源和偏置电阻等......
俄罗斯红星电视台网站3月11日发表题为《中国导弹吓坏华盛顿:中国露出核牙齿》的报道。北京试射了首枚移动式洲际弹道导弹——这种......
三极管倒置时发射极与集电极对调使用,倒置时的三极管也同样具有三种工作状态,但是等效集电极电流(I_E)与基极电流的比值即β值要......
基于PESC(钝化发射极太阳电池)的电池结构,制备发射极为磷离子注入、背面场为硼离子注入的全离子注入单晶硅太阳电池,分析磷和硼离......
在对称预放大器和输出放大器中，使用真正的互补晶体管是相当明知的。这就必须使两管基极一发射极的电流和借助电流源T3和T4，PNP及NPN......
介绍了晶体管基区电位微分方程精确解的研究结果,与方程近似解相比,它能定量阐释发射极电流集边效应及相关参量,也为功率晶体管设......
为了解决旋涂磷源扩散制备发射极片内均匀性差的问题,采用在磷酸溶液中添加二氧化硅纳米球方法,结合旋涂热扩散形成n+发射极并制作......
在技术进步和成本下降方面,陶冶预计,未来2~3年钝化发射极和背面电池技术(PERC)还将是主流技术。在市场规模方面,陶冶称,国际市场......
利用旁路电容来补偿为了获得器件高可靠性,而引入的大整流电阻所导致的高频增益低落问题.在大于共发射极截至频率fβ的较宽频带内......
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的......
E类调谐功率放大器的理想模型是集电极电流下降时间为零,笔者在集电极电流下降时间不为零的情况下对E类放大器进行了分析;在最佳工......
介绍了晶体管基区电位微分方程解析解的研究结果,与方程近似解相比,它能定量地阐释发射极电流集边效应及相关参量,也为功率晶体管......
由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一。......
根据电子镇流器控制器对基准电源的设计要求,利用不同电流密度下两晶体管基极-发射极电压差的正温度特性,通过镜像电流源方式产生P......
1.问题的提出在共发射极放大电路中,当发射极接有一只电阻RE如图1所示时,放大器的输入电阻要大大增加,而放大倍数将明显下降,输入......
本文对双极晶体管发射极电流集边效应的理论研究作了回顾.文章指出:1971年,J.Olmstead等人在四个假设下,导出了一维的描述该效应的......
22kHz切换开关的维修 一只ASK—211P 22kHz切换开关(电路如下图所示),在数字机中将22kHz选项设置为“开”时听不到继电器吸......
以优化磷在硅中杂质分布的工艺方案为研究对象,通过扩散机理分析和实验研究的方法,对影响磷杂质分布型的关键因子进行理论探讨与实......
通过功率合成器将E类放大器的输出功率叠加起来,作为高效的大功率RF发射机的功率输出源;对E类放大器的工作特性和同相功率合成网络......
利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD软件的工艺仿真模块模拟单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到与测试结果相一致的掺杂......
作为双极型功率MOSFET的IGBT(绝缘栅双极晶体管)即将进入正式实用期,其研究开发也已到了追求极限性能的阶段。在形成沟道的阴极侧......
<正>VT1.什么是光电三极管?(1)光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的半导体光敏器件。光电三极管的文字符号是"VT",图形符......
对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理......
本文对IBC-SHJ电池背面的几何尺寸进行二维仿真和优化,得到缓冲层、发射极和背面场对J-V特性的影响,以及FF因子的变化,结论表明缓......
在1972年国际电子器件会议上,日本富士通公司发表了一种新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺,该工艺可应用于超高速集成电路和......
3．2 IGBT栅极与发射极并接电阻R1当IGBT栅极与发射极呈开路时，而在其集电极与发射极之间加上电压，随着集电极电位的变化，由于器件是一......
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针对传统P型衬底晶硅太阳电池，通过PC1D数值计算，模拟了发射极扩散峰值浓度、方块电阻、结深等对电池性能的影响规律以及该规律与硅......
本论文围绕太阳能电池的电性能参数展开，主要研究发射极优化对太阳能电池电性能的影响。结合目前太阳能电池的产业化发展，研究扩散发......
通过模型计算,分析了发射极表面对PERC太阳电池转换效率的影响;然后设计了不同条件下的扩散和热氧化工艺实验,得到了最高转换效率......
<正> 已知的几种半导体负阻器件,都各具优缺点。如隧道二极管的开关速度很快,但提供的输出脉冲幅度较小(几百mV)。雪崩晶体管具有......
<正> 本文介绍我厂研制的高压中功率npn平面型晶体管设计考虑,该产品用于雷达亮度显示器、电源设备、静电打印设备及某些开关电路......
<正> 在现代系统与电路中,大规模多功能集成电路已逐步代替了散装件。在接收机中除高频头尚有部分未集成化外,第二混频以后,仅用两......
