热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p+/n+发射极研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tosying11

【摘要】

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为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散.采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积

【作者】

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宿世超王涛韩宇哲田罡煜黄海宾高超岳之浩袁吉仁

【机构】

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南昌大学光伏研究院,南昌,330031

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2016年11期

【关键词】

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HWCVD 晶硅太阳电池固态扩散源发射极方阻

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为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散.采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中进行高温扩散,最后用稀HF溶液去除表面的BSG/PSG.通过掺磷薄膜扩散在P型单晶硅片上制备了方阻在50～250 Ω/□范围内可控的n+型发射极;通过掺硼薄膜扩散在N型硅片上制备了方阻在150 ～600Ω/□□范围内可控的p+型发射极.并且通过在源气体中加入CO2作为氧源,实现了扩散后硅片表面残留扩散源层的彻底去除.

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