光提取效率相关论文
微型发光二极管（Micro-LED）显示芯片尺寸减小带来了侧壁效应，导致其正向光提取效率（LEE）降低，实现高光效Micro-LED的显示芯片结构仍有待......
作为节能环保重要环节之一,照明行业受到了国家产业政策的大力支持。然而,为了实现节能这个目标,LED照明器件的性能仍然需要进一步......
AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）在环保、医疗、催化剂等领域有着广泛的应用。当前,蓝宝石衬底上的AlGaN基DUV LED的外量子效率（EQE......
有机发光二极管（OLED）具有环保、低功耗、宽色域、自发光特性,被广泛应用在显示和照明领域。目前,OLED的内量子效率几乎能达到100%,......
发光二极管作为第四代照明光源,具有寿命长、节能环保、色彩丰富等一系列优点。从其被发明到现在一直受到人们的追捧,其发光效率一......
AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）在灭菌消毒、医学治疗、紫外加工和农业等领域具有很大的应用潜力。然而,具有高外量子效率（EQE）的DU......
目前,图形化蓝宝石衬底(PSS)广泛应用于GaN基发光二极管(LED)的生产.它能够同时提高GaN基LED的内量子效率(IQE)和光提取效率(LEE).......
在研究GaN基LED芯片外形结构对光提取效率影响机理的基础上，提出了一种新的斜四边形衬底外形结构，在理论研究了该结构中侧面倾斜角度......
为了提升氮化镓(GaN)基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的发光效率,设计工艺简单且成本低廉的领结型纳米银金属阵列,并将该......
为提高光子晶体(PC)发光二极管(LED)的光提取效率，引入AlGaN限制层的表面光子晶体LED(PCLED)和嵌入型PCLED两种模型，分析了两种结构......
为提高发光二极管(LED)的光提取效率，分析了光栅形状(矩形、等腰梯形、等腰三角形)对提取效率的影响；基于等效介质理论和严格耦合波......
AlGaN材料是一种直接带隙第三代宽禁带半导体材料，其禁带宽度可通过改变AlGaN材料中Al元素的掺入量从3.4eV到6.2eV连续可调，是当前制......
AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)具有低电压，全固态，耐冲击，耐高温，抗辐射，高效率，响应快，长寿命，无毒环保和光谱连续可调等特点，在紫外消......
针对由激光隐形切割技术导致的蓝宝石衬底侧壁粗化对GaN基发光二极管(LED)倒装芯片光提取效率(LEE)的影响,提出一种蒙特卡罗光线追......
硅基半导体是现代微电子产业的基石,但由于体硅材料是间接带隙半导体,因此发光效率极低.通过构筑硅基异质结结构,将具有优良发光性......
空间辐射环境探测是航天任务活动及空间科学研究的重要内容,目前空间辐射探测器正向着高度集成、小型化、低功耗、实时监测的方向......
We demonstrate by finite-difference time-domain simulations that a one-dimensional(1D) photonic crystal(PC) structure be......
利用时域有限差分法(FDTD)，研究了不同刻蚀深度的非晶光子晶体对GaN基薄膜倒装(TFFC)LED光提取效率的影响。本文所采用的非晶光......
采用三光束激光干涉法在GaN LED表面制作光子晶体结构.实验表明,当激光功率140m时,能够制作具有直径360nm,孔深78nm,周期410nm......
基于时域有限差分法(FDTD)在GaN基LED表面分别生长了ZnO柱状与锥状微纳结构,并利用Rsoft模拟仿真软件分析了两种结构的几何参量(排......
近年来,金属卤素钙钛矿材料因其优异的光电性能而受到了人们广泛的关注。该材料具有较高的光致发光量子产率(photoluminescence qu......
随着半导体科学技术的日益发展,以GaN及其三元合金AlGaN为代表的氮化物材料凭借带隙宽度大、击穿电压高、化学稳定性优异等优点已......
发光二极管（LED）诞生于20世纪中期,发展至今,LED的应用已经是随处可见,被誉为人类的第四代照明器件。LED具备响应时间短、光谱可调范......
为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜,经过光刻和......
采用ITO/Ti305薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层,窗口层,电流阻挡层和增透膜层.通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方......
笔者给出了一个基于光子晶体渐变波导的可调谐激光器。这种结构的光提取效率高达20%。从理论上预测了这种可调谐性，并在实验上获得......
GaN基LED具有节能、寿命长、体积小等优点，被视为下一代照明器件，受到人们广泛的关注。由于LED芯片折射率与空气折射率的巨大差别，使......
半导体发光二极管因其功耗低,体积小,寿命长,发光效率高,节能环保等突出优点而被广泛应用。为研究出适用于照明和超高亮度领域的高......
LED(Lighter emitting Diode发光二极管)已经有30多年的发展历史了。LED以其绿色环保、低耗节能、长寿命等诸多优点广泛应用于照明......
随着发光二极管(LED)在固体照明、显示等方面越来越广泛的应用，对其性能，尤其是氮化镓(GaN)基蓝、绿光LED的发光效率，提出了越来越高......
半导体发光二极管(light-emitting diodes，LEDs)，通常称之为LED，是一种具有高电光转换效率的新型固态照明器件，其中GaN基蓝光LED是制备......
21世纪光电技术发展日新月异。LED是现代光电子装备中的核心器件。LED靠半导体中的电子-空穴对自发辐射复合发光。作为一种半导体......
这些年来,随着半导体照明的不断深入发展,LED以其高电光转换效率和绿色环保的优势受到越来越广泛的关注.半导体照明产品中的核心组......
为了改善因为铟锡氧化物(ITO)薄层对紫外光具有高吸收率,从而导致石墨烯紫外LED低光提取效率(LEE)问题,采用ITO微纳结构(矩形和三......
报道了一种新型的纳米-微米复合的蓝宝石图形化衬底,采用dip-coating的方法在微米级SiO2半球阵列表面静电自组装一层SiO2纳米球,形......
设计了方形和阶梯状两大类的图形化蓝宝石衬底（PSS）,使用Crosslight公司的工艺软件CSuprem建立了三维的方形和阶梯状两类图形衬底GaN......
针对提高发光二极管（LED）光提取率问题，利用LED的发光和表面等离子原理，采用严密耦合波计算方法，在LED表面添加金属周期性亚波长微结构，......
在发光二极管(LED)上制作光子光栅结构将会提高LED的光提取效率,这使得LED应用范围更广。根据时域有限差分法(FDTD)数值计算方法,......
为提高氮化镓（Ga N）基发光二极管（LED）的光提取效率,基于等效介质理论设计了底面100%占空比、半径为320 nm的正方形孔径纳米半球阵列。......
本文介绍了外部量子效率为14．5％，光效为31．2流明／瓦的全荧光白光OLED器件。该器件的色座标为（0．387，0．381），完全符合美国能源部能源之星在4000......
GaN基LED以每年消耗超过500万片相当于2in的衬底片成为氮化物材料的最主要用户，其器件产值达到35亿美元。LED的下一个挑战是使市场......
为了提高倒装发光二极管(LED)光提取效率的同时实现单偏振光输出,建立了正装、倒装和集成金属亚波长光栅倒装LED3种模型,采用RSOFT......
给出了用蒙特卡罗射线追踪法模拟发光二极管（LED）光提取效率的过程，并对表面织构LED的光提取效率进行了模拟分析，得到存在一组优化的表......
