GaN基材料的禁带宽度从0.78eV-6.2eV连续可调,可以用来制备从紫外到红外的全色系发光二极管(LED)。GaN基LED的出现,使得白光LED的制备成为可能,白光LED被称为第四代照明光源,人类即将进入固态照明时代。但是,对传统结构的GaN基LED而言,有源层内发出的光子会由于全反射而不能从器件内部出射出来,光提取效率受到很大的限制,严重影响LED的发光效率的提高,限制了白光LED的发展。为此,我们提出一种简单易行且行之有效的方法来提高GaN基LED的光提取效率。　　 本文通过对传统矩形腔结构GaN基LED的出光进行分析,结合GaN基LED的制备工艺,提出侧面粗化方法来提高其光提取效率。同时通过蒙特卡罗光子追迹法对侧面粗化后的GaN基LED进行分析,最后完成GaN基LED的制备工艺,获得侧面粗化的GaN基LED,所做工作的主要内容如下:　　 (1)对GaN基LED的出光进行分析,结合GaN基LED制备工艺,提出侧面粗化来提高GaN基LED的光提取效率。　　 (2)利用蒙特罗卡光子追迹法,对侧面粗化GaN基LED进行模拟分析。粗化侧面为三角状时,光提取效率整体随着粗化角度的增加而增加,但45°粗化时不改变光提取效率,同时降低材料的吸收系数可以有效提高其光提取效率。在吸收系数为10ccm-1,粗化角度为60°,考虑衬底存在,但不考虑电流扩展及电极时,粗化后的光提取效率可以达到43.772％。同时对于大功率GaN基LED,将其划分为多个发光区域,以减少器件内部的吸收,从而提高其光提取效率。　　 (3)通过MOCVD生长GaN的外延片,然后制备侧面粗化的GaN基LED芯片,最后进行划片封装,获得封装好的侧而粗化的大功率GaN基LED,测试其光提取效率,得到粗化后的LED光提取效率提升大约为20％。　　 本文提出的侧面粗化来提高GaN基LED的光提取效率方法,在GaN基LED生产工艺上非常容易实现,即不增加工艺的复杂程度同时又能提高其光提取效率,很适合大规模推广,是一种十分有效的提高GaN基LED光提取效率方法。