体二极管相关论文
超结（Super junction）MOSFET因其导通电阻低,开关速度快,特别适合应用在全桥和半桥电路中,在直流充电桩和大功率电源领域应用广泛。......
得益于技术的进步,SiC MOSFET器件中的体二极管可靠性有极大的提升,并在部分领域和模块中取代了续流二极管.文章基于浪涌电流试验,......
针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、......
对1200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力......
期刊
电力电子功率器件已广泛用于制造业、能源、国防等重要领域，是各类高品质、高精尖电源产品的核心器件，也是实现电能变换的基石与重要......
随着制造科学及加工技术的飞速发展,对各种功能材料加工精度的要求越来越高,加工的方式也逐渐微小型化。超快激光微纳米加工技术作......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有......
该研究致力于运用超分子自组装的方法，在纳米孔道中实现可逆的多重门控效果。我们预先在不对称纳米孔道内修饰含萘的自组装前驱......
采用同步整流技术的Buck开关电源的应用已越来越广泛,随着其输出电流的增大,抑制Buck电路同步整流管漏极尖峰成为提高电源效率和性......
本文以体二极管结构加实验验证的方式讲述了功率MOSFET体二极管反向恢复特性,分析发现,功率MOSFET的体二极管的di/dt对MOSFET的反......
为了满足开关电源系统对功率器件的要求,基于深槽刻蚀工艺制作出了耐压为690 V左右的超结VDMOS器件,并通过Sentaurus TCAD软件......
提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上，于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表......
“主动式箝位”的开关周期,包含开关开启时电路的电压和电流,主要适用于主动式箝位正向转换器输出电感中存在连续电流的情况.图1所......
Vishay推出第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n系列SiHH070N60EF导通电阻比其前代器......
介绍了一种具有逆向导通能力的GaN功率开关器件逆向导通．高电子迁移率晶体管（RC-HFET）。通过在栅极与漏极之间插入一个肖特基电极并与......
FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET，以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接，能够轻易进行同......
SiHx28N60EF和NSiHx33N60EF是两款600VEF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET，具有低向恢复电荷和导通电阻，能够在工业、电信、计算和可......
650VEF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷比传统MOSFET......
为了研究 VDMOS 器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理，详细分析了600 V VD-MOS 器件体二极管的工作过程，采用 TCAD 模拟软件研究......
新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压......
服务器、电信、计算等高端的AC—DC开关模式电源应用以及工业电源应用需要较高的功率密度，因此要获得成功，设计人员需要采用占据更小......
在服务器电源和通信电源应用领域，谐振变换器是一种十分令人关注的拓扑。它具有提升功效，减少元器件数量和抑制电磁干扰等优点，但是体......
英飞凌科技股份公司推出200V和250VOptiMOSTMFD。作为针对体二极管硬式整流进行优化的新一代功率MOSFET，这些器件更加可靠耐用，具有......
英飞凌科技推出全新650VCoolMOSCFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可......
低电压大电流开关电源大多采用基于同步整流的Buck拓扑,而随着输出电流的不断提高,同步整流管中体二极管的导通损耗和反向恢复损耗......
采用同步整流技术的Buck开关电源的应用已越来越广泛，随着其输出电流的增大，抑制Buck电路同步整流管漏极尖峰成为提高电源效率和性能......
随着电力电子工业的不断发展,面对功率器件在大功率、小体积、低功耗和耐高温等方面更高的需求,碳化硅(SiC)因为其优良的材料特性......
英飞凌科技推出650V CoolMOS CFDA。这是配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V ......
飞兆半导体公司FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET，以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接，......
为了解决所选步进电机固有步距角过大而无法满足系统高精度微位移控制要求的问题,以细分控制原理为理论依据,设计了1种基于现场可......
在线座谈（OnlineSeminar）是中电网于2000年推出的创新服务。通过“视频演示＋专家解说＋在线问答”三位一体相结合的形式。充分发挥网络......
详细分析了新型功率器件SiC MOSFET的结构特点及其寄生体二极管的反向恢复机理,推导了反向恢复过程的电压与电流计算;同时,搭建了......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET.依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件[1,2],由......
提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法，在这一方法中，肖特基接触集成于VDMOSFET中的每......
<正> 有不少平面磨床的电磁工作台是用老式的硒堆整流供电,使用日久,常发生电磁工作台吸力不足;小工件吸持不牢;大工件磨削后退磁......
为了降低开关电源的功率损耗,同步整流技术采用功率MOSFET替代肖特基二极管,实现了更高的整流效率。简要介绍了同步整流技术的原理......
随着功率半导体技术的发展,超结器件(Super Junction)已经在中高压功率半导体器件领域被广泛采用,但是超结器件主要存在两个问题,......
<正>三相控制整流器和变换器,矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率晶体管,每支晶体管都有自己的驱动电路。图1中的电......
随着市场对于更高效的电源供给器件和更耐久供电的电源电子器件的需求日益增长,如何提高电源管理系统效率的研究成为十分重要的课......
随着电子技术的迅速发展,为适应各种快速微处理器、便携式电子产品和服务器供电的需求,低电压大电流输出变换器的研究成为十分重要......
垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构中包含一个由p阱和n-漂移区构成的寄生二极管。本文就当前同步整流DC/......
期刊
提出了一种适用于LLC谐振变换器的数字同步整流驱动方式.该驱动方式基于检测同步 整流M0 S 管的漏源极电压, 进而判断体二极管的导......
超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管(Vertical-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,VDMOS)导......
