随着光伏产业的发展,在太阳能硅锭切割中产生了越来越多的固液废弃物,即光伏晶硅废料（PSW）。这不仅造成了环境污染,加重了企业环境保护的负担,而且导致了资源的浪费。PSW主要由聚乙二醇切削液,碳化硅磨粒,高纯硅微粉,少量的铁屑和水组成。但是,由于硅粉粒度很细,与SiC粉的粒度范围部分重合,而难以回收。因此,可以对PSW进行间接使用。而SiC-AlN复合陶瓷是一种先进陶瓷材料,在航空航天、电子基板等方面有着良好的应用。然而目前的研究的复合陶瓷的热导率过低,这严重限制了的应用。本文利用提纯后的光伏晶硅废料与AlN混合,合成了SiC-AlN复合粉体,并采用放电等离子烧结制备了SiC-AlN复合陶瓷。主要研究如下:首先,将提纯后的PSW作为SiC源,与AlN粉体混合,在真空烧结炉中氩气气氛下进行Si-C的合成反应。研究了产物物相、显微结构以及不同配碳量、温度和AlN含量对复合粉体的影响。研究方表明,在1400℃制备的复合粉体效果最佳。随着温度的升高Si-C反应逐渐进行,粉体中逐渐有SiC晶须生成。随后,在最优的粉体中添加Y2O3作为烧结助剂,使用放电等离子烧结制备得到SiC-AlN复合陶瓷。研究了烧结助剂、不同烧结温度和AlN含量对复合陶瓷的影响。结果表明,Y2O3对复合陶瓷的力学性能有较大的提高,在1900℃烧结的5wt%AlN含量的复合陶瓷具有最佳的热导率124.7W/（m·K）,而同温度下15wt%AlN含量的复合陶瓷具有最佳的抗弯强度571.6MPa。其次,使用Al粉作为AlN源,在Si-C反应的同时进行Al的氮化反应制备SiC-AlN复合粉体。研究结果表明,复合粉体中均匀分布着大小粒径的SiC,并且有一定量的SiC晶须。此外,在较低的反应温度时会生成中间产物Si5Al ON7,当温度达到1600℃时消失,得到SiC-AlN复合粉体。在不同温度下烧结制备了SiC-AlN复合陶瓷,结果表明,在1900℃烧结的5wt%AlN含量的复合陶瓷的热导率为122.6W/（m·K）,15wt%AlN含量的复合陶瓷具有最佳的抗弯强度467.9MPa。随着AlN含量的增加,试样固溶现象明显,陶瓷的断裂方式有沿晶断裂转变为穿晶解理断裂。最后,使用提纯后的PSW和AlN作为原料,直接进行陶瓷的反应烧结。研究了不同配碳量烧结温度对一步烧结的影响,结果表明,致密度在正常配碳量下1900℃时达到最高值95%,此时抗弯强度为246MPa。并且对不同保温温度的二步烧结的进行分析,研究发现,复合陶瓷中有少量硅渗出,致密度下降,仅有84%左右。一步烧结比二步烧结得到复合陶瓷的性能要高,然而,与先制备复合粉体再烧结得到的复合陶瓷相比性能有所下降。