研制基于电化学沉积铂纳米颗粒修饰玻碳电极的DNA传感器。用循环伏安和阶跃电位两种电沉积方法,在含有0.5 mol/L H2SO4和2.5 mmol/L K2PtCl6的电解池中,将铂纳米颗粒沉积在处理过的玻碳电极表面。用扫描电子显微镜观察修饰电极表面的铂纳米颗粒形态；循环伏安法对修饰铂纳米颗粒电极的电化学特性进行表征,以选取最优的铂纳米颗粒修饰电极的方法。实验发现用阶跃电位沉积法可以制备高催化活性、高比表面积、颗粒小的铂纳米颗粒修饰电极。将转基因大豆中常含的花椰菜花叶病毒35S启动子ssDNA片段直接吸附在铂纳米颗粒上,制成特异的电化学DNA传感器。该传感器在杂交缓冲液中与不同浓度的目的基因序列进行杂交,采用方波伏安法(SWV)进行检测,以[Co(phen)3]3+(phen=1,10-Phe-nanthroline)为杂交指示剂,传感器表现出很好的响应信号。检测目的基因的线性范围为2.1×10-9～2.1×10-7 mol/L,最低检测限1.0×10-9mol/L,与3个碱基错配的DNA序列杂交,几乎观察不到明显的杂交信号,说明传感器有很高的选择性。与在裸玻碳电极上修饰的探针相比,传感器的灵敏度显著提高。样品DNA经HindⅢ非限制性内切酶酶切,杂交前后的电流差明显增大,说明酶切能增加传感器的灵敏度。用该传感器检测不同转基因序列含量的转基因大豆与非转基因大豆DNA混合溶液,杂交前后的电流差与混合溶液中转基因序列的含量成线性关系,说明制备的传感器可以直接用于转基因大豆DNA的定量检测。连续5次测量含有100％转基因大豆DNA杂交后的电信号,相对标准偏差(RSD)为5.89％,探针再生后可重复使用8次。