多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中，日益成为一种非常重要的电子材料，被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。为降低多晶硅薄膜的生产成本，目前国际上已发展了多种低温制备技术，但各有其不利于工业化生产的因素。而传统的PECVD系统较适合大规模工业化生产，而且工艺成熟，所制备的薄膜质量高，因而PECVD法是工业化生产最有效的方法。SiCl_4与SiF_4结构性能相近，且是一种比SiH_4、SiF_4更廉价的工业原材料，生产更安全，能有效降低生产成本。因此，本论文尝试采用SiCl_4/H_2作为反应气体，用传统的射频辉光放电PECVD方法，在玻璃和硅衬底上直接制备多晶硅薄膜，以求寻找一种适应大规模工业化生产的方法。我们发现，当衬底温度仅为200℃时，即能沉积到多晶硅薄膜。这在国内外都未见报导过。由Raman光谱估计该薄膜的晶化度接近100％。