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TiO_2 nanoparticulate films were prepared by means of Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). By further surf......
多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中,日益成为一种非常重要的电子材料,被广泛应用于大规模集成电路和半......
利用常规射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,以高H2稀释的SiH4作为反应气体源,和以H2稀释的B2H6作为掺杂剂,通过改变掺杂浓度与......
本文利用PECVD制备纳晶硅薄膜,实验选用10%的SiHH4作为硅源,在普通玻璃衬底上沉积了硼掺杂硅薄膜.制备的工艺参数范围如下,沉积温......
SiC薄膜具有结构不易控制,透明性较差的特点.采用PECVD方法淀积的纳米SiC薄膜经光学透过率测试表明,在637 nm和795 nm处有高的光透......