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利用常规射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，以高H2稀释的SiH4作为反应气体源，和以H2稀释的B2H6作为掺杂剂，通过改变掺杂浓度与衬底温度等工艺参数，在玻璃衬底上制备了掺硼P型氢化纳米硅晶（nc-Si(B):H）薄膜。利用α-台阶仪测量了薄膜厚度，采用紫外可见近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)、半导体分析测试仪对制备的薄膜样品进行了光电特性测试。结果指出，在B2H6/SiH4=0.2%时薄膜的光学带隙为1.94eV和电导率为0.1-1cm-1，它可以充当p-i-n型薄膜太阳电池