nc-Si:H薄膜相关论文
首次全面测试了采用PECVD生长的掺杂(硼、磷)nc-Si:H薄膜的残余应力.利用XRD、RAMAN、HRTEM研究了掺杂nc-Si:H薄膜的微结构,用全场......
氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜因其中纳米级硅晶粒的量子尺寸效应,具有高电导、发光等优良的光电特性,在微电子、光电子等领域具有广阔......
寻找响应速度快，非线性效应强的半导体材料对于研制未来光计算机中的光开关、光逻辑运算器件，对于研制高速光交换系统，实现全光通信都......
本工作采用了射频等离子体增强型化学气相沉积（RF-PECVD）技术，以SiH4和H_2为反应气体源，在单晶硅、石英和玻璃衬底表面上制备了nc-Si:H......
介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池......
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 n......
Studies of nanoindentation were performed on nc-Si:H films to evaluate the effects of the fabrication processes on their......
测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力......
