【摘 要】
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共振隧穿二极管(RTD)是极具发展潜力的新型纳米器件,在高频振荡器、和高速数字电路等方面有着广阔的应用前景.GaN负阻器件同传统的GaAs负阻器件相比具有更高的工作频率和输出功率,可以达到102～103mW.相对于已报道的AlGaN/GaN材料体系,In组分为17％的InAlN与GaN晶格匹配,可减小异质结界面处的晶格失配、界面粗糙度和压电极化,从而降低陷阱中心的激活能和缺陷密度,改善在多次扫描下
【机 构】
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中科院苏州纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,苏州,215125 中科院苏州纳米仿生研究所纳米
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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共振隧穿二极管(RTD)是极具发展潜力的新型纳米器件,在高频振荡器、和高速数字电路等方面有着广阔的应用前景.GaN负阻器件同传统的GaAs负阻器件相比具有更高的工作频率和输出功率,可以达到102～103mW.相对于已报道的AlGaN/GaN材料体系,In组分为17％的InAlN与GaN晶格匹配,可减小异质结界面处的晶格失配、界面粗糙度和压电极化,从而降低陷阱中心的激活能和缺陷密度,改善在多次扫描下GaN基RTD的Ⅰ-Ⅴ特性严重衰减现象.本文利用分子束外延(MBE)生长InAIN薄膜材料，研究材料特性与生长条件之间的关系，以得到高质量的InAIN材料，进而制备RTD器件。应用正规溶液模型和价带力(VFF)模型，计算了InAIN体系的混溶隙，得到了生长温度、In组分和InAIN材料（亚）稳定相的关系；同时，通过改变生长条件，得到了原子束流、温度等对生长模式的影响。
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