GaN-based metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs)have become increasingly attractiv......

氮化镓(GaN)宽禁带半导体是当前功率器件领域研究的热门,相比于传统硅基功率器件,AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)具有高击穿电......

本文主要关注基于LPCVD-SiNx介质的GaN基器件界面特性的研究,通过C-V电学测试,结合频率崩塌法、电导法以及Terman法等对GaN基器件......