氮化铝镓相关论文
目前,AlGaN/GaN HEMT作为大功率器件,其功率特性一直是研究的重点.而击穿电压是制约AlGaN/GaN HEMT在高功率高耐压电路应用中的关......
与第一代和第二代半导体材料相比,氮化镓(GaN)具有更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场强度以及更高的电子迁移率.由于Ⅲ-Ⅴ族氮化......
会议
硅衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)在高压功率开关等器件有着广泛的应用前景.由于功率开关器件工作状态是在高压......
以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的......
相比于传统硅器件,基于氮化镓(GaN)材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)有更大的击穿场强、更快的电子饱和速度和更高的允许工作温度.A......
SiNx作为一种常见的绝缘材料,常作为AlGaN/GaN MIS-HEMTs的栅介质以及钝化层.LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)生长......
GaN高电子迁移率器件(GaN HEMTs)在微波射频和电力电子领域有着广阔的应用前景.为了追求更高的击穿特性,AlGaN沟道HEMTs器件正受到......
随着功率器件技术的快速发展,基于传统的Si材料以及第二代半导体材料的功率器件已经无法满足实际应用中快速、低损耗等的迫切需求.......
GaN基紫外光源是目前替代汞激发光源的唯一固态光源解决方案,近年来UVLED市场份额逐年递增,在紫外固化、杀菌净化、生化检测等领域......
硅衬底上AlGaN/GaN异质结构因其优良的物理性能在功率电子器件领域有着广阔的应用前景.然而,由于硅衬底与外延层之间存在较大的晶......
利用2D-ATLAS对AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压进行仿真,同时为实现半绝缘缓冲层,在GaN缓冲层中引入能级为EDA=EC-2.85eV的深能级受......
AlGaN/GaN HEMT的有源区台面间泄漏电流是关态泄漏电主要组成部分,隔离工艺与器件缓冲层材料特性都对有源区间泄漏电流有明显影响.......
氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)可应用于比传统半导体器件更大功率、更高频率和更高温度的场合,因此,GaN基HEMT器件被认为......
AlGaN光电阴极是紫外像增强器的重要组成部分，广泛应用于太空技术、紫外预警和安全检测等领域。针对目前AlGaN光电阴极制备技术不成......
AlGaN基Ⅲ族氮化物为直接带隙半导体材料，禁带宽度为3.42～6.03eV，是制作光电器件比如发光二极管（light-emitting diodes，LEDs），激光器(las......
AlGaN半导体材料的带隙宽度可以从3.4eV到6.2eV连续可调，覆盖了从365 nm到200 nm的紫外波段，是制备紫外短波长发光和探测器件不可替......
随着信息化社会的迅速发展，人们对信息存储容量和传递速率的要求日益提高。光子作为信息传递的载体，通过与电子间的能量转换，能够很好......
深紫外非线性光学材料在光信息处理和高速光通讯等领域具有广泛的应用前景，发展适宜工作在深紫外波段的新型非线性光学材料成为国际......
随着科技的发展,紫外探测技术被广泛地应用于军事和民用领域。AlGaN日盲紫外探测器具有全固态、本征截止、工作电压小、物理化学性......
相比于传统紫外光源（如汞灯和氙灯），AlGaN半导体紫外光电子器件具有无汞污染、波长可调、体积小、集成性好、耐高温、抗辐射以及能耗......
利用氨热法合成了AlxGa1 -xN合金的纳米固体 ,其中Al含量的摩尔数可在x =0～ 1的范围内变化 .在x值从 0到 1整个范围内 ,对该合金的......
氮化铝镓（AlxGa_（1-x）N）合金是重要的半导体材料,在发光二极管和紫外探测器等领域都有广阔的应用前景。对高铝成分AlxGa_（1-x）N合金的高......
利用氨热法合成了AlxGa1-xN合金的纳米固体，其中Al含量的摩尔数可在x＝0－1的范围内变化，在x值从0到1整个范围内，对该合金的纳米固体进行......
利用椭圆偏振测试仪,对n＋AlGaN/n-AlGaN/超晶格（SL）/AlN/蓝宝石多层复杂结构的椭偏测试方法进行了研究,其中SL层为AlGaN/GaN多层量子......
