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相比于传统硅器件,基于氮化镓(GaN)材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)有更大的击穿场强、更快的电子饱和速度和更高的允许工作温度.A......
自1993年第一支GaN基电子器件发明以来,以AlGaN/GaN异质结为核心的高电子迁移率晶体管在近二十年内得到了快速发展。然而,目前GaN......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaNHFETS)具有饱和电子漂移速度高、击穿电场强、输出功率高等优点,而且由于自发极化和压电极......
