【摘 要】
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宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,使得AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs/MIS-HEMTs)具有低的导通电阻、高的工作频率以及较低的栅极漏电,非常适用于下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求.常关型功率器件由于其安全性高和栅极驱动简单,广泛受电路应用的欢迎
【机 构】
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电子科技大学,成都,610054 中国科学院微电子研究所,北京,100029
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,使得AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs/MIS-HEMTs)具有低的导通电阻、高的工作频率以及较低的栅极漏电,非常适用于下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求.常关型功率器件由于其安全性高和栅极驱动简单,广泛受电路应用的欢迎.对于常规的AlGaN/GaN结构需要把异质结界面的二维电子气(2DEG)耗尽,才能使器件实现常关型(normally-off).目前,常关型器件的制备方法最常用的有栅槽刻蚀,氟离子注入以及P-N结耗尽技术.等离子体感应耦合刻蚀(ICP)以其高效,低成本,高刻蚀选择等优点被广泛的应用于制备常关型器件.
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