【摘 要】
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相比于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从而能够在各类电力转换系统中作为核心器件使用,在节能减耗方面有重要的应用前景,因此受到学术界、工业界的极大重视.然而,由于Ⅲ族氮化物材料体系的极化效应,一般而言,基于AlGaN/GaN异质结的HEMT均是耗尽型(常开),该类型的器件应用于电路级系统中时,需要设
【机 构】
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中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州,215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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相比于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从而能够在各类电力转换系统中作为核心器件使用,在节能减耗方面有重要的应用前景,因此受到学术界、工业界的极大重视.然而,由于Ⅲ族氮化物材料体系的极化效应,一般而言,基于AlGaN/GaN异质结的HEMT均是耗尽型(常开),该类型的器件应用于电路级系统中时,需要设计专门的负极性电源供给电路,以实现对器件的开关控制,这极大增加了电路的复杂性与成本.
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