研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样......

随着MOS管的尺寸进入深亚微米时代后,采用高k金属栅来控制短沟道效应和提高载流子迁移率来增加器件速度是目前CMOS研究重点。我的......

随着CMOS器件特征尺寸进入到45nm及以下技术节点后,HfO2高k材料得到广泛的关注与应用。由于纯HfO2在低温退火条件下一般为非晶态或......

随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金......