非挥发性存储器相关论文
如今,非挥发性快闪存储器已广泛应用于各种便携式电子产品,增加存储容量和降低生产成本成为了快闪存储器发展的目标.然而当存储单......
随着集成电路产业的不断发展，非挥发性存储器在各种消费类产品中所占的比重越来越大，非挥发性存储器以其数据可长期保持的特点，被广泛......
闪存是当前非挥发性半导体存储器市场上的主流存储器件。随着flash进入20纳米工艺节点，基于传统浮栅结构的flash技术正面临严重的技......
随着特征尺寸不断缩小，基于浮栅结构的闪存存储器件尺寸持续缩小遇到了很大挑战。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、可高密度集成......
随着物联网技术的发展,作为其关键技术的射频识别(Radio Frequency Identification, RFID)技术受到了广泛的关注。RFID系统由电子......
摩尔定律问世已40多年，人们无不惊讶于半导体芯片制造工艺令人目眩的发展速度。随着工艺节点不断往前推进，当前市场上主流非挥发性存......
当今时代，信息产业发展日新月异，存储器已经在各种电子产品中得到了广泛的应用，为我们的日常工作和生活带来了很大的便捷。进而，人们对......
存储器行业一直是“巨人”的天下,小公司在这个领域似乎难有大的发展空间。而开业仅5年的嵌入式非挥发性存储器(NVM)提供商奈米闪......
对金属 -铁电体 -半导体场效应晶体管器件而言 ,具有六方晶系结构的稀土锰酸盐 ( Re Mn O3)是性能优良的薄膜材料 ,它们的介电常数......
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力.但对RRAM器件电阻转变机制的研究......
随着微电子技术节点不断向前推进,非挥发性存储器(NVM)的容量迅速增大,对读取速度的要求也日益提高。通常,在大规模快闪存储器中采......
针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向......
本文介绍了非挥发性存储器的基本结构和工作原理，介绍了工艺过程中的控制要点和工艺优化的方法，给出了MNOS器件制作的工艺流程以及测......
以醋酸盐为原料、采用溶胶-凝胶法制备Nd0.7Ce0．3MnO3薄膜材料，并对Nd0.7Ce0.3MnO3薄膜材料的电脉冲诱导电阻可逆变化（EPIR）效应进行了......
提出了一种用于非挥发性存储器的新型电压灵敏放大器。该电路采用一种可以自动关断、电流可控的预充电路，可以有效消除由于存储容量......
富士通半导体（上海）有限公司成功开发出拥有1Mb内存的全新FRAM产品MB85RC1MT，是所有富士通半导体I^2C串行接口产品中内存容量最大的产......
优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm^2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含......
全球化转向移动应用的趋势使得非挥发性存储器在通讯,计算机和消费类产品中扮演越来越重要的角色.通过为先进的移动产品提供非挥发......
中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究方面取得了新进展。阻变存储器（RRAM）是非挥发性存储器的重要替代方案之一，具有工......
晶圆制造服务公司宏力半导体与嵌入式非挥发性存储器（embedded non—volatile memory，eNVM）领导厂商力旺电子共同宣布，双方通过共享资......
新思科技公司（Synopsys，Inc．，）日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID／NFC集成电路而进行了优化的DesignWare AEON 多次可编......
上海华虹NEC电子有限公司（华虹NEC）以其特色工艺平台及其最新研发成果在ICCAD2011上令人瞩目。华虹NEC展出了嵌入式非挥发性存储器、......
东芝公司（Toshiba）近日宣布，该公司已根据使用小于当前主流技术功率的65nm逻辑工艺开发了快闪存储器嵌入式工艺，以及采用130nm逻辑及模......
三星晶圆代工业务（SamsungFoundry）准备开始以28nmFD—SOI工艺，提供SST—MRAM（spintorque transfer magneticRAM）以及快闪存储器，做为嵌......
中芯国际日前宣布,其0.13μm低功耗（LL）的嵌入式闪存（eFlash）工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性存储器平台的延续,为客......
针对高压产生系统在非挥发性存储器中的重要作用,推导出一个用于电流模DC-DC升压转换器稳定性分析的精确模型.该模型综合了传统的......
优化了金属纳米晶的制备工艺参数，得到了分布均匀，形状为球形，平均尺寸8nm，密度2．5×10^11／cm^2的Ag纳米晶。在此基础上，制备了包含Ag......
针对低成本、低功耗无源射频电子标签，采用SMIC0．18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器．存储器单元基于双向Fowl......
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory)即电子擦除式只读存储器,它是一种非挥发性存储器,与擦除式只读存储......
由于对快闪存储器的广泛应用，对优化测试和可靠性日益迫切的要求成为一大重要挑战。因此．本文通过分析阐述如何合理有效应用夺路并行......
随着器件尺寸的缩小，阻变存储器（RRAM）具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在......
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究......
当前广泛应用于各类电子元器件系统中的非挥发性(Nonvolatile)数字存储技术——FLASH,在半导体工艺尺寸已经微缩化(Scaling down)......
闪存是当前非易失性半导体存储器市场上的主流存储器件。随着闪存进入20纳米工艺节点,基于传统浮栅结构的闪存技术正面临严重的技......
科利登系统公司日前宣布，推出Kalos 2 Hex（K2 Hex）系统，该系统是用于目前和下一代非挥发性存储器和嵌入式存储器件的集成电路测试系统......
赛普拉斯半导体公司和上海华虹NEC电子有限公司（华虹NEC）共同宣布，Cypress的0．13μm嵌入式非挥发性存储器（NVM）技术已经在华虹NEC获得成......
恒忆（Numonyx）日前宣布推出Velocity LPTM NV-RAM产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器，不但可以......
科利登系统公司最近宣布，推出Kalos 2 Hex(K2 Hex)系统，该系统是用于目前和下一代非挥发性存储器和嵌入式存储器件的集成电路测试系......
随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层......
上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHigh......
非挥发性存储器,在掉电的情况下,存储的资料也不会丢失,应用十分广泛。传统非挥发性存储器根据工艺与器件而有所不同,包括ROM,OTP,......
半导体器件的尺寸随着摩尔定律的不断缩小是支撑集成电路和信息技术快速发展的原动力。但当前主流的非挥发性存储技术——基于电荷......
科技产业发展主轴从PC转到移动终端,半导体存储技术不论在应用还是价值方面都发生了引人注目的变化。此变化归因于消费者对移动产......
