电阻开关特性相关论文
有机-无机卤化钙钛矿是一种杂化钙钛矿材料,它制备工艺简单,成本低廉而且具有优异的光电特性,广泛应用于各类光电器件。基于有机-......
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至本世纪初以来，基于氧化物薄膜电阻开关特性的电阻随机存储器研究持续升温，其凭借低功耗、读/写速度快、结构简单等优点迅速成为非......
本文提出了晶粒间界电流调整的新概念。讨论了晶粒间界的少数载流子复合以及晶粒间界的少数载流子迁移率和寿命。利用新概念对多晶......
忆阻器作为除电阻、电容、电感外的第四种无源器件,兼具信息储存和逻辑运算功能,在大数据存储以及模拟神经网络方面有着很大的应用......
随着物联网,超级计算机,5G通讯,大数据分析应用等高新科技产业的飞速发展,为了满足人类社会对超快读/写速度、高存储密度、小尺寸......
本文用磁控溅射和旋涂法成功制备了HfAlOx/γ-Fe2O3/HfAlOx堆栈结构,该堆栈结构具有典型的双极性电阻开关特性:在-1V读取电压下可......
利用磁控溅射方法在镀Pt的Si(100)衬底上沉积制备NiO_x薄膜,研究了氧分压对薄膜微结构和电阻开关特性的影响.微结构观测分析结果表......
氧化物薄膜电阻开关存储器(ReRAM)具有快速的读/写速度(~10 ns)、优异的耐受性(>106次读/写次数)和超长的存储稳定性(~10年)等优点......
随着便携式个人设备的逐渐普及，非挥发性存储器在半导体行业中发挥的作用越来越大。阻变存储器（RRAM）因结构简单，存储密度高，生产成本低......
本文主要研究了氧化铜纳米线(CuO NW)器件和铜氧化物薄膜器件的电阻开关特性。首先,采用热氧化法制备了大量的CuO NW,利用一种简单......
这几年，存储器市场因电子产业的快速发展得到了迅速的扩张，同时，这也对存储器提出了更高的要求。未来的存储器需要有更快的速度，更低的......
近年来，便携设备消费量的日渐增长使得存储器市场占有率得到了迅速提高，如今，存储器已经在各种电子产品中得到了广泛的应用，为我们的日......
当今时代，信息产业发展日新月异，存储器已经在各种电子产品中得到了广泛的应用，为我们的日常工作和生活带来了很大的便捷。进而，人们对......
近年来,随着信息技术的发展,阻变随机存储器(RRAM)由于自身的一些优点,低能耗、高密度等,使得器件结构更简单、转换速率快能达到几......
基于氧化物薄膜电阻开关特性的电阻随机存储器,凭借存储速度快、功耗低、结构简单、可高密度集成等优点成为下一代非易失性存储器......
伴随着电子信息技术产业化的飞速发展,人们对存储器的性能提出了更高的要求。对器材小型化,高密度,快读写,长寿命的需求不断驱动着......
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钙钛矿锰氧化物由于呈现出庞磁电阻、交换偏置、电阻开关特性等许多新奇的物理特性,一直以来都是凝聚态物理领域中的重点研究对象......
氧化铈（CeO2）是镧系稀土氧化物中受到广泛关注的稀土氧化物材料之一。近年来,在自旋电子器件、缓冲层材料、催化剂等诸多领域具有广......
采用特殊的电化学制备方法,在铜基片上直接制备了一层微米厚度的氧化亚铜(Cu2O)薄膜.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等手段对......
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B位离子为过渡金属阳离子的钙钛矿型复合氧化物显示出大量有趣的电学和磁学性能,在微波可调器件、存储器、固体燃料电池、催化等领......
用溶胶－凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜，经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2－3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融......
忆阻器是一种新型电子器件,兼具信息储存和逻辑运算功能,在非传统计算机及模拟神经网络等方面有重要研究价值;瞬态电子器件是指在......
基于氧化物电阻开关特性的阻变存储器凭借着其读/写速度快、结构简单和功耗低等优点成为下一代非易失性随机存储器的候选者之一。N......
电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一.实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积......
阻变存储器是一种新型的具有双极性电阻开关特性的非易失性存储器,也称为忆阻器,以其结构简单、低功耗、高读写速度以及易于与其他......
采用反应溅射法,室温下,在Cu/Ti/SiO2/Si衬底上制备了氧化钒(VOx)薄膜,并对薄膜进行450℃、30min的真空退火处理。采用X-射线衍射(......
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