极紫外投影光刻相关论文
采用一个极紫外投影光刻掩模衍射简化模型实现了三维接触孔掩模衍射场的快速仿真计算。基于该模型，得到了接触孔掩模衍射场分布的解......
建立一个计算极紫外投影光刻掩模衍射场的简化模型，在该简化模型中通过对入射光场进行追迹推导衍射场分布的解析表达式。简化模型中......
极紫外(EUV)投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸(CD)都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效......
报道了国内首块用于极紫外投影光刻系统的6inch(1inch=2.54cm)标准极紫外光刻掩模。论述了32nm节点6inch标准极紫外光刻掩模的设计......
论述了光刻技术发展的历程、趋势和极紫外投影光刻技术的特性,并介绍了极紫外投影光刻原理装置的研制工作.该装置由激光等离子体光......
介绍了掩模基片的技术要求,分析了制备掩模多层膜的难点以及相应的解决措施,然后讲解了吸收层干刻法制备掩模的工艺流程,最后介绍......
基于软X射线辐射计量和极紫外投影光刻（EUVL）应用,研制了一台使用纳秒激光器的液体微滴喷射靶激光等离子体（LPP）极紫外光源。该光源由......
讨论了极紫外投影光刻掩模的反射光谱随多层膜参量的变化，通过曲线拟舍得到了峰值反射率、带宽和中心波长与多层膜粗糙度、材料比值......
介绍计算机辅助装调方法在离轴照明EUVL光学系统中的应用,阐述了一种基于奇异值分解(SVD)的牛顿迭代法来求解失调量.利用该方法对......
基于Nevot-Croce模型,计算了一系列具有粗糙界面的极紫外投影光刻掩模的反射光谱.通过拟合计算结果,得到了峰值反射率、带宽和中心......
极紫外投影光刻(EUVL)是极具竞争力的新一代光刻技术,工作于13.0nm波长,理论上适用于65~30nm的数代集成电路制造。工业部门的专家......
针对极紫外投影光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,简称EUVL)工作波长短的特点及由此带来的一些问题,对EUVL微缩投影物镜的结......
基于Xe的惰性和在13~14 nm波段高的辐射强度,Xe被认为是极紫外投影光刻(EUVL)潜在的靶材,为此设计和研制了一台液体微滴喷射靶激光......
极紫外投影光刻（EUVL）两镜微缩投影物镜通常采用Schwarzschild结构和平场结构。本文分析了这两种结构在EUVL不同发展阶段的设计特点，......
在电子信息产业发展过程中，集成电路技术对现代化工业的发展和人们的生活起了极其重要的作用，而光刻技术是集成电路生产技术的核心和......
极紫外投影光刻(EUVL，Extreme Ultraviolet Lithography)技术作为下一代光刻技术中最佳候选技术，建立于可见/紫外光学光刻的诸多关键......
