多层金属化相关论文
对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12......
本文对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大.本文中设计了12种不同的蓄水池结构,进行电迁移实......
本文介绍了多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术--反应离子腐蚀去钝化层法,包括其原理、与其他芯片解剖技术的比较以及各种工艺参数......
报告了对P-GaN实现低电阻欧姆接触的新型金属化方案.这个方案包括淀积多层金属Ti/Pd/Ni/Au(20A/300A/400A/500A),用快速热退火(RTA......
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段.在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,......
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段.在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,......
【摘要】 研究了肖特基芯片势垒结构与参数性能的原理，结果表明利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺，使得肖特基势垒界面横向结构......
本文介绍了肖特基二极管背面金属化原理和制作过程,针对背面多层金属化系统的特点,分析了影响蒸发镀膜质量的原因,提出了相关解决......
介绍了多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术——反应离子腐蚀去钝化层法，包括其原理、与其它芯片解剖技术的比较以及各种工艺参数对该......
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,......
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多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,......
<正> VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动......
<正> 一、可靠性设计的重要性 半导体器件的失效原因来自于设计缺陷、工艺缺陷和使用不当。设计是可靠性的基础,良好的设计是保证......
