多层金属化相关论文
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段.在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,......
【摘要】 研究了肖特基芯片势垒结构与参数性能的原理，结果表明利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺，使得肖特基势垒界面横向结构......
本文介绍了肖特基二极管背面金属化原理和制作过程,针对背面多层金属化系统的特点,分析了影响蒸发镀膜质量的原因,提出了相关解决......
0前言金属封装的大电流二极管,在较高质量等级的型号工程中有实际应用需要。但在实际生产中,因传统的正面铝层背面多层或金层的芯......
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多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,......
<正> VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动......
