器件仿真软件相关论文
本文采用器件仿真软件ISETCAD模拟了采用n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/N+Si......
SOI LDMOS的开态击穿电压主要取决于漂移区的电势和电场分布.本文基于二维泊松方程,建立了漂移区全耗尽情况下的SOI LDMOS表面电势......
本文提出了一种漂移区部分氧化柱体硅LDMOS.此结构将N型漂移区用N型硅柱和氧化柱相互交替来代替,利用氧化柱对漂移区电场的调制作......
本文利用器件仿真软件Silvaco Altlas建立了考虑表面态和陷阱效应的微波AlGaN/GaN HEMT器件物理模型.针对毫米波GaN HEMT器件短栅......
会议
本文基于三维泊松方程的求解,建立了一个小尺寸MOS器件的表面势的三维解析模型和新的阈值电压模型。和以往的一维或二维模型相比,本......
本文针对横向高压器件LDMOS和UGBT的串联结构特性以及其原理进行了分析和仿真.改进的结构在不影响LIGBT的正向导通特性的前提下,不仅......
本文首先分析了影响REBULF LDMOS器件击穿电压、导通电阻和阈值电压的主要因数,然后利用二维工艺仿真软件TSUPREM4和二维器件仿真......
本文提出了SOI多区双RESURF LDMOS,在单RESURF LDMOS结构的n漂移区引入多个p掺杂区,以改善其场分布,提高击穿电压.借助二维器件仿......
本文中,利用二维器件仿真软件Medici建立4H-SiC双极晶体管模型,并在此基础上,对4H-SiC TBS结构双极晶体管进行了模拟研究,结果显示......