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本文对功率集成电路中耐压为60V，电流容量为2．5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上，分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优化方法。
通过ISE TCAD器件仿真软件，得出相关终端结构，进而完成最终版图结构。
低压功率VDMOS的设计研究
【摘 要】
：
本文对功率集成电路中耐压为60V，电流容量为2．5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上，分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优化方法。 通过ISE TCAD器件仿真软件，得
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安 710071
【出 处】
：
第八届中国纳米科技西安研讨会
【发表日期】
：
2009年期
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