动力学蒙特卡罗相关论文
材料辐照损伤模拟是数值堆软件的重要内容。原子动力学蒙特卡罗(AKMC)方法是研究核材料辐照行为的重要手段,可在保持原子级别精度......
通过化学气相沉积方法,可控合成所需层数的二硫化钼仍然是一个挑战.因此,建立一个能够定量预测单层和多层二硫化钼生长的理论模型,......
核反应堆中关键材料的辐照损伤演化对其性能有重要影响,且跨越多个量级的时空尺度。空间分辨随机团簇动力学是近年来发展的1种模拟......
为了对晶粒长大动力学理论方程进行验证,采用SPPARKS和动力学蒙特卡罗算法对于大尺度三维多晶组织的演变进行了模拟,研究了模型温......
论文研究了基于动力学蒙特卡罗法建立单晶硅湿法腐蚀精确仿真计算模型的关键技术，依据己发表文献中和已有的实验数据，利用蒙特卡罗计......
先进的能源系统具有高度复杂性和多尺度现象的特点,并要求具有极高效率和近零排放。一般情况下,应用于宏观现象的连续性数学描述在......
基于微观、介观等细微尺度的模拟方法如动力学蒙特卡罗(KMC)方法、格子玻尔兹曼方法(LBM)和分子动力学(MD)方法等是揭示复杂物理化......
针对动力学蒙特卡罗退火模拟需要解决的问题，本文开展了对动力学蒙特卡罗方法退火模拟的全面的研究工作。本文提出了新的高效的动力......
该文通过第一性原理总能计算和动力学蒙特卡罗方法研究了金属同质外延生长系统中表面纳米结构的形成及其动力学演化规律.首先,我们......
建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入......
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的K inetic Monte Carlo(KMC)......
建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型，并应用该模型模拟了Si原子在Si（111）基底上外延生长的过程．系统研究了沉积时间、基......
为深入理解生长因素及应变对量子点形成的影响,科研工作者采用动力学蒙特卡罗方法对量子点的生长进行了大量研究.简要概括了采用动......
为更好研究GaN材料的生长机理，提出了一种在金属有机物化学气相淀积系统中生长GaN的化学反应生长模型，并结合动力学蒙特卡罗方法模拟......
在考虑沉积原子入射能量影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的动力学蒙特卡罗模型,并对薄膜生长的初期过程进行了......
介绍了材料位移损伤效应研究中的多尺度数值模拟方法,包括第一性原理、分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,举例说明了3种方法的作用......
结合第一性原理计算和动力学蒙特卡罗模拟研究了稀磁半导体（Ga,Mn）As中Mn杂质的沉积动力学规律。利用第一性原理计算和爬坡弹性带方......
在常规的动力学蒙特卡罗方法(KMC)中,扩散过程的速率往往远大于化学反应,因而造成KMC方法在模拟表面化学体系演化时效率非常低下.......
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si（100）-（2×1） 表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo（KMC）模......
通过化学气相沉积方法,可控合成所需层数的二硫化钼仍然是一个挑战。因此,建立一个能够定量预测单层和多层二硫化钼生长的理论模型......
建立了沿Si（100）方向外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟模型，对二维Si薄膜的生长过程及二维Si岛的形貌演变进行了研究。结果......
将一种有效的粗粒化的动力学蒙特卡罗（KMC）方法用于加速模拟二维格气布鲁塞尔体系中的振荡行为．这种方法是将微观网格合并得到粗粒化......
电荷和自旋是电子两个重要的内禀属性。半导体自旋电子学正是利用半导体中的电子自旋和电荷两个自由度,对信息进行加工处理。在半......
根据钙钛矿结构的特点，提出了一种基于双格子系统的动力学蒙特卡罗KMC方法（kineticmontecarlo）。与传统的SOS（solid-on-solid）模型不同，......
本文以扩散理论为基础,利用KMC模拟方法,考察了温度对薄膜生长速率和表面形貌的影响以及生长表面的粗糙化相变过程。模拟表明,温度......
近年来,在单芯片上集成纳米功能单元的能力成为衡量半导体纳米技术发展的一个重要标志。半导体纳米结构(量子点、量子环、纳米线等......
介绍了动力学蒙特卡罗方法模拟薄膜生长的基本理论,对电沉积镍薄膜早期形核生长进行了模拟,发现镍薄膜的亚单层生长可以分为四个阶......
纳米材料因其独特的力学性能成为材料界研究的热点，特别是晶粒尺寸对力学性能的影响备受关注。本研究的目的是根据不同晶粒尺寸所对......
随着科学技术突飞猛进式的发展进步以及人们对未来的半导体光电子器件在对其运算处理速率、低功耗和微型化等方面越来越高的诉求,......
通过化学气相沉积方法,可控合成所需层数的二硫化钼仍然是一个挑战。因此,建立一个能够定量预测单层和多层二硫化钼生长的理论模型......
建立了弹道入射的薄膜三维蒙特卡罗形貌仿真模型，模拟了倾斜沉积情况下柱状薄膜的生长形貌，研究了沉积角度对柱状薄膜形貌的影响．通过......
