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建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型，并应用该模型模拟了Si原子在Si（111）基底上外延生长的过程．系统研究了沉积时间、基片温度对于薄膜初始生长形貌的影响，如影响粒子的扩散与凝聚、岛的生长等微观过程．
超薄膜Si外延生长过程的动力学蒙特卡罗模拟
【摘 要】
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建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型，并应用该模型模拟了Si原子在Si（111）基底上外延生长的过程．系统研究了沉积时间、基片温度对于薄膜初始生长形貌的影响，如影响粒
【机 构】
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嘉应学院物理与光信息科技学院,中山大学光电材料与技术国家重点实验室
【出 处】
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广东第二师范学院学报
【发表日期】
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2011年5期
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