光电流谱相关论文
在半导体科学领域中,材料和器件的光电特性一直是研究的重点之一,如何对半导体材料或器件进行高精度、高效率的测量也是长久以来研......
将汞溴红滴加在玻璃基底上,紫外可见吸收光谱表征了其H聚集体的形成.汞溴红吸附到TiO电极上以后,其单体的紫外吸收峰有明显的红移,......
自组织InAs/GaAs量子点在900-1300nm波段具有极好的光、电、量子特性,可用于激光器、探测器、光伏电池、单光子源和单电了晶体管。......
叙述了为测量半导体光电器件的光电流谱和光反射谱所构成的自动测量系统及其数据处理方法。
The automatic measurement system a......
在纳米半导体中由于纳米效应(如量子尺寸效应),其电子结构与块体半导体有所不同.进一步地,当纳米半导体与基底和其他组分结合制成......
近年来,在半导体光电化学领域中,半导体超晶格(量子阱)材料作为一种新型的光电极的研究已引起人们广泛的注意和重视.由于半导体超......
在应力Al0.3Ga0.7N/GaN异质结构材料上制备了Ni肖特基接触。利用测得的电容-电压曲线和光电流谱,通过自治求解薛定谔方程和泊松方......
将汞溴红滴加在玻璃基底上,紫外可见吸收光谱表征了其H聚集体的形成.汞溴红吸附到TiO电极上以后,其单体的紫外吸收峰有明显的红移,......
金属氧化物半导体材料(MOS)因具有优良的光响应性能而广泛应用于光催化、光电导、光气敏等领域。研究MOS在气氛下光生电荷的产生、复......
红外探测技术在信息工程应用领域中正起着愈来愈重要的作用,而红外探测器技术又在红外探测技术中居于核心地位。量子阱红外探测器是......
窄禁带碲镉汞(Hg1-xCdxTe,MCT)半导体是一种理想的红外辐射探测材料,在红外探测器和焦平面阵列方面具有重要的应用价值。本文围绕HgC......
随着航空航天、遥感遥测、生物医学,机载探测、跟踪,微光夜视侦察、预警,光雷达跟踪和光电武器制导系统等领域突破性的发展,对光谱......
该论文研究了晶格匹配型GaAs/AlGaAs超晶格量子阱电极的光电化学行为.在设计生长了几种适于光电化学研究的超晶格量子阱电极的基础......
该文利用Kr 1.55μm的光电流谱进行了1.55μm DFB半导体激光器的稳频研究,相对频率稳定度达5×10 ,比国外同类报导提高了一倍.并......
该文研究了GeSi量子点结构的光学特性.从理论和实验上对用分子束外延(MBE)自组织方式生长的Si基Ge量子点的导纳谱进行了系统的分析......
应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8~ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件......
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300 K)光电流谱,在0.40~0.70 eV范围发现了一个光响应宽带M1.M1带在0.46、0.49、0.56、0.6......
文章设计并搭建了一个金属氧化物半导体材料光电流谱测试平台。采用溶胶凝胶的方法在FTO上制作了掺杂Al的ZnO多孔膜材料并测试了其......
测量了包含有超薄层AlAs/GaAs超晶格的GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光电流谱,比较研究了不同能级上的光和热诱导载流子在外电场下渡超薄层AlAs势垒的隧穿时......
简要报道了激光扫描电化学微区光电流谱测试系统的研制。系统能在微米水平上提供有关半导体 /电解质溶液界面结构和电子学性质方面......
综述了光电流谱技术应用于金属氧化膜研究时的原理、实验技术及在测定金属氧化膜电子性质、晶体结构和微区行为中的应用。......
本文报导了用铷原子7800A光电流谱来稳定半导体激光器的工作,在光电流谱线的中部发现了有利于稳频的凹陷,将半导体激光器频率锁定在凹陷的......
本文报道了采用分子束外延技术制备的三色In As/Ga As量子点红外探测器.器件采用nin型结构,吸收区结构是在In Ga As量子阱中生长含......
本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构(HEMTs)AI0.30Ga0.70As/In0.15Ga0.85As/GaAs挑电流谱研究。实验观察到了n=1重空......
利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱观察到λ=742nm主峰,同时也对多孔碳微腔的PL谱和单层多孔硅的光电......
通过变温暗电流和变偏压光电流谱实验对阻挡杂质带红外探测器的跃迁机理和输运特性进行了研究.结合器件能带结构计算的结果,证明了在......
利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究.实验观察到了在不同的偏压和温度下,锗硅量子阱结构的带间吸收边谱线发......
设计了一个多功能半导体光电性质测试电路。配合红外光谱仪,该电路能完成相应波段的光电流谱测试。设计还加入了交流信号发生器功......
本文报道了由微机控制的紫外可见区现场(in situ)光谱电化学联用测量系统的硬件和软件设计。该系统可以测量电化学调制反射光谱,光......
在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在v=1312cm^-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向......
应用空心阴极放电管观测铷D2线的光电流谱,发现谱线中部有凹陷出现。对凹陷出现的原因进行了分析和研究。利用此现象,将半导体激光器频......
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300K)光电流谱,在0.4-0.709eV范围发现了一个光响应响应宽带M1。M1带在0.46、0.49、0.56、0.65和0.69eV处出现五个峰,其中0.46、0.49、0.56和0.69eV峰的起始阈值分别......
比较了硅光电器件和MOS电容经300keV质子和1.25MeVγ射线辐照后的光电参数的变化,讨论了γ射线辐照的样管在150℃和200℃的退火效应,在硅器件的光谱响应范围......
采用锁相技术建立了评价钝化膜稳定性的光电化学方法,并利用这一现场无损的监测方法研究了敏化不锈钢的钝化膜,光电流谱测试结果表明......
在可见光区测得了掺杂Clˉ离子和BFˉ4离子聚苯胺电极的光电响应,并利用光电流谱外推得到各自的平带电势.对于同一种电极,重现性良......
叙述了为测量半导体光电器件的光电流谱和光反射谱所构成的自动测量系统及其数据处理方法。......
我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明......
通过对室温光电流谱的测量,研究了电场对多层量子阱结构中激子吸收行为的影响,分析了不同MQW材料的吸收谱的电场效应及有关光电子......
期刊
用光电化学方法研究了金属锆的表面初始氧化和线性电势扫描形成阳极氧化膜。光电流作用谱上的阳极和阴极光谱电流取决于电极电势,而......
介绍了微量杂质Xe对光电流谱的影响,测量了光电压与入射光强放电电流,Xe浓度的关系,探讨了用光谱方法测量微量杂质的可行性。......
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱,并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异......
对用MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料进行了衬底剥离,在此基础上制备了单元器件并测量了器件的黑体响应率以及光电流响应.实验解决了......
红外探测技术在信息技术应用领域中正扮演着愈来愈重要的角色,而红外探测器技术又在红外探测技术中居于核心地位。阻挡杂质带红外......
半导体气体传感器在工业生产,生活的各个方面广泛使用,具有广阔的市场开发前景。由于ZnO具有优异的光电性能和气敏性质,本论文以Zn......
研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H-SiC衬底上的GaN光导型紫外探测器的光电流性质。通过光电流谱的测量,获得了GaN探测器......
本文探讨了现代电化学技术在金属腐蚀与防护研究中的地位和学术意义,介绍了几种重要的现代电化学研究方法的发展、达到的水平及其......
窄线宽半导体激光器在光学测量和光通信领域有着十分广泛的应用。在许多系统中,如全光纤测速干涉仪,光纤载波传输系统等,激光器的......