衬底剥离的量子阱红外探测器研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liuliea

【摘要】

：

对用MBE生长的GaAs／AlGaAs量子阱材料进行了衬底剥离，在此基础上制备了单元器件并测量了器件的黑体响应率以及光电流响应．实验解决了衬底剥离及器件制备中的工艺问题，研究了衬底

【作者】

：

甄红楼李宁江俊徐文兰陆卫黄绮周均铭

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,中国科学院物理研究所

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

衬底剥离量子阱红外探测器光电流谱介电函数 substrate lift-off quantum well infrared detector photoc

【基金项目】

：

Foundation item：Supported by Chinese National Key Basic Research Special Fund （2004CB619004 ）, National Science Foundation （10234040, 60476040） , Shanghai Science and Technology Foundation （02DJ14066）

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对用MBE生长的GaAs／AlGaAs量子阱材料进行了衬底剥离，在此基础上制备了单元器件并测量了器件的黑体响应率以及光电流响应．实验解决了衬底剥离及器件制备中的工艺问题，研究了衬底剥离对材料及器件性能的影响以及用这种方法制备器件的可行性．结果表明选择腐蚀法是一种有效的衬底剥离方法，用这种方法得到的多量子阱薄膜材料仍具有较好的红外探测性能，为进一步实验提供了依据．

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