p型半导体相关论文
近年来,随着对二维（2D）材料逐渐深入,人们渐渐发掘出了二维材料家族全方位的物理性能,从石墨烯导体到Mo S2半导体,再到绝缘h-BN,产生......
P型CuSCN无机半导体材料具有合适的能级位置、优异的化学稳定性、高的空穴迁移率、低成本等优点,在太阳能电池、光电探测器、发光......
近些年,对于半导体气体传感器的研究受到普遍关注。但其中大部分研究对象为n型半导体,而对p型半导体气敏材料的研究相对较少,且普......
自2010年高效串联染料敏化太阳电池( tandem-DSCs)概念的提出以来[1],以p型半导体材料(p-SCs)作为光阴极的p-DSCs得到了广泛关注.......
我们在场电子结构和硼的光性质上的系统研究用密度做了半导体的 graphene nanoribbons 功能的理论。精力乐队结构，状态的密度，变丑密......
研究了p－型异质外延和同质外延金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻，磁阻器件的结构为条形和圆盘形。实验结果表明磁阻强烈依赖于磁......
氧化锌(ZnO)是Ⅱ–Ⅵ族直接宽禁带半导体材料,有望在光电显示、光电存储、光电转化和紫外光电探测等领域得到广泛应用。然而,如何......
采用溶胶–凝胶法制备了CuCr1–xMgxO2粉末,压制烧结形成了CuCr1–xMgxO2陶瓷样品,研究了Mg2+掺杂量和压制压强对CuCrO2粉末和陶瓷......
半导体材料被广泛应用于太阳能电池和光电化学领域,解决人类社会目前面临的能源危机和环境污染,而受到科研人员的广泛关注。针对不......
近年来,随着石墨烯的发现,二维材料进入了人们的视野,其中二维层状过渡金属硫属化合物（TMDCs）作为二维材料中重要的一部分,有着最轻......
在p型硅 (10 0 )衬底上 ,采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长 .用O2等离子体刻蚀技术将金刚石膜......
以硝酸铜为铜源、硝酸铝为铝源,以草酸为沉淀剂,采用微波辅助合成p型半导体CuAlO2纳米晶.通过X射线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱(F......
随着经济的快速发展，人们对化石能源的依赖程度也越来越高，在这种情形下，两大问题变得日益严重，一方面石油、天然气作为不可再生能源已......
氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。相比传统的半导体材料，ZnO薄膜具有成本低廉，生长温度低，禁带宽度大(3．37eV)，激子复合能高(60m......
ZnO是典型的第三代宽带隙半导体,是II-VI族直接带隙半导体,其禁带宽度为3.37e V,室温下激子束缚能高达60me V,远大于室温的热离化......
针对Fe2O3气敏材料灵敏度低、工作温度高，传统烧结型及厚膜气敏元件存在的膜脱落、断裂等问题，对Fe2O3纳米材料及敏感器件的制备进行......
随着社会的不断发展,铁氧体材料的应用领域越来越广泛,可以用于光催化材料、吸波材料、太阳能转换材料以及电极材料等。铁氧体材料......
碱土金属(如Sr，Ca)掺杂的钙钛矿锰氧化物属于典型的强关联电子体系。其中，由于电荷，自旋，轨道自由度之间强烈的耦合作用，表现出庞磁电阻......
以卤化铅钙钛矿材料为基础的太阳能电池自2009年首次报道以来,因其优异的光电性能及相对简单的器件制备工艺引起了世界范围内众多......
氧化锌(ZnO)是一种IIB-VI化合物半导体材料,由于它具有直接宽禁带3.37eV和激子束缚能室温下高达60mev等优点,有望用于下一代短波长......
压光电效应是一种由压电极化、半导体和光激发耦合形成的全新物理效应，可用于改善光电器件的光电性能。以GaN，ZnS，ZnO及CdS等纤锌矿结......
采用溶胶-凝胶法制备了CuCr1-xMgO2粉末,压制烧结形成了CuCr1-xMgxO2陶瓷样品,研究了Mg2+掺杂量和压制压强对CuCrO2粉末和陶瓷的相......
在自主研发的一系列P型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下......
到目前为止，性能不断迅速提高的透明氧化物半导体全部都是n型半导体（由电子导电）。而对P型半导体（由空穴导电）来说，尽管许多工程师在很久......
在普通金刚石中掺入某些杂质元素可以使其具有更为优异的物理和机械性能。掺入硼元素可以使普通金刚石具有p型半导体特性。目前,对......
1p-n结如图1（a）所示，使一块n型半导体和一块P型半导体紧密地接触。交界处n区一侧的电子浓度高，形成一个要向P区扩散的正电荷区域；同样，P......
如图1示,接地金属壳空腔内有两个带电体C和D,C带负电,D带正电,D带的正电荷数量和C带的负电荷数量完全相等。 图1 图2 在离C较近的......
LED作为第四代照明光源,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光,由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地......
采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO2Ag薄膜。借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法，分析了02气氛下退火温度对薄......
采用电位-电容法及Mott—Schottky分析技术研究了有机清漆在5‰硫酸溶液中的半导体导电行为．研究表明，有机清漆空间电荷层电容远小于......
采用电位—电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下20号碳钢在酸、碱和盐溶液中的半导体导电行为.结果表明,在腐......
如图1所示，一块半导体样品当沿X方向通以电流I，沿Z方向加以磁场B，在Y方向则产生一霍尔电场EH，这种现象称为霍尔效应．实验表明，在图1所示......
美国化学家研发出了一种新方法，使用硅碲化物制备出拥有多层结构的二维半导体纳米材料，这些材料拥有不同的形状和排列方向，可在多个领......
一 前言LED又称发光二极管（LightEmittingDiode），属于半导体元件，自1962年美国通用电气公司开发出全球第一种可实际应用的红光LED开始，......
以Zn（CH3COO）2·2H2O为蒸发源,利用热蒸发分解法在Si衬底上沉积了多晶ZnO薄膜.使用多种分析测试手段（XRD,SEM,PL,霍尔效应）对不同......
基于第一性原理,研究（9,0）型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的......
笔者曾谈论过空穴和霍尔效应问题，试图回答，在本质上都是电子移动的情况下，为什么自由电子导电（n型半导体）和空穴导电（p型半导体）会出现相......
本文报道了应用变温光伏方法对半导体表面能级,表面态密度的非破坏性测量原理。通过一定的模型简化,将Shockly-Read体复合理论应用......
采用电位-电容法及Mott—Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下304不锈钢钝化膜在酸、碱性溶液中的半导体导电行为。研究表明，30......
采用渠道火花烧蚀技术，在普通玻璃基板上制备掺锌硫化铜铝CuAl0.90Zn0.10S2透明导电薄膜。运用X射线衍射法（XRD）和原子力显微镜（ARM）分......
一、半导体二极管（一）问答题1、何谓半导体？常用的半导体材料有哪些？它们有何特点？2、何谓本征半导体？它有什么特色？3、何谓N型半导体？N型......
用文献「４」中的理论和实验结果论证了本文作者在１９８７年首先采用新的方法求解ｐ型半导体在过渡温度范围的霍尔系数极值所得到的一系列新结......
采用新制备的Cu2O和Al（OH）3为反应原料，利用水热-分解法制备了P型半导体CuAlO3纳米晶。采用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、X射线......
钛酸钾晶须是一种结晶度高、物理力学性能优异、化学性能隐定的新型针状单晶材料.本身不具存导 电性.如果能够通过材料改性使其具......
Bi1.5Pb0.5Sr2x La x Co2O y 的多晶的样品(x = 0.1， 0.2， 0.3 ) 与分层的结构被准备由固态反应方法。所有样品是 p 类型半导体。热......
