压光电效应是一种由压电极化、半导体和光激发耦合形成的全新物理效应，可用于改善光电器件的光电性能。以GaN，ZnS，ZnO及CdS等纤锌矿结构为代表的材料均能产生压光电效应，这些材料中阳离子(Ga3+，Zn2+，Cd2+等)电荷中心和阴离子(N3-，S2-， O2-等)电荷中心均不具有中心反演对称性。受到外界作用力时，正负离子电荷中心发生分离，产生极化现象并在材料表面积累出极化电荷，产生的压电极化电场和电势会调节和控制探测器中相应部分载流子的产生、复合及输运过程。研究者们利用压光电效应制备出多种光电器件，包括压光电效应增强的晶体管，发光二极管(LED)，太阳能电池和压力传感器等。　　本论文利用n-ZnO纳米阵列与p型半导体材料制备异质结光探测器，系统地研究了光探测器的结构及光电特性。主要包括以下两个方面的内容：　　一、利用n-ZnO纳米阵列和p-Si制备了具有n-ZnO/p-Si结构的光探测器。Si材料是目前应用最广泛、技术最成熟的半导体，其成本较低且适合大规模集成。本章利用高质量的p-Si材料作为衬底，通过低温化学水热法在其上制备出高质量ZnO纳米阵列，使用ITO玻璃作为上电极制备出异质结光探测器。利用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)，X射线衍射(XRD)和光致发光光谱(PL)研究了材料的形貌、结构及发光性质。对探测器施加压力后，随着压力的增加输出电流也随之增加，电流由初始时的1.89μA最高增加到85.45μA。使用波长为365nm光源对探测器进行照射，该探测器输出电流有明显提高，表现出较高的紫外响应，且对可见光几乎无响应，这使得该探测器适于可见光背景下的紫外探测。　　二、利用n-ZnO纳米阵列和p-NiO制备了具有n-ZnO/p-NiO结构的光探测器。与大多数探测器相比，该探测器选择具有柔性的Ni箔作为衬底，利用热氧化处理技术制备出p-NiO薄膜，通过使用低温化学水热法在其上生长n-ZnO纳米阵列，应用ITO玻璃作为上电极，制备出n-ZnO纳米阵列/p-NiO薄膜结构的光探测器。施加压力后，该探测器的输出电流随着压力的增加而不断增加，由8.51μA最高增加为90.23μA。使用紫外和可见光源进行照射，该探测器的响应度也有显著增加。在波长为325nm光源照射下，其响应度由5.78mA/W增加到189.89mA/W，而在波长为405nm光源照射下，其响应度由0.12mA/W增加到1.35mA/W，表明该探测器适用于在较宽波长范围(紫外到可见)内的光探测。