ZnO压敏陶瓷相关论文
采用现代材料分析手段,从物相、显微组织相貌以及电性能方面综述了稀土掺杂ZnVO基压敏陶瓷发展现状及第二相和显微组织优化作用方......
对非饱和过渡金属氧化物中MnO2或Co2O3掺杂ZnO压敏陶瓷的影响进行了对比研究.结果表明：掺MnO2压敏陶瓷内部尖晶石相较多，富Bi相相对......
采用传统固相法成功制备了不同SiO2掺杂量的ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷.研究了SiO2添加剂对ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷物相组成、微观形貌和电......
用湿化学法经不同烧结工艺制成了ZnO压敏陶瓷，通过对压敏特性测试，结合SEM、XRD结构分析，给出了阈值电压E和非线性系数a、尖晶石相内Z......
本文采用共沉淀法合成ZnO压敏陶瓷粉料,分别以Nn4HCO3和NaOH作为沉淀剂,研究了不同沉淀剂对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响......
改善晶粒分布的均匀性是获得高性能ZnO压敏陶瓷的重要手段之一。本文主要从平均晶粒尺寸、晶粒分布均匀性以及晶粒形状等角度研究......
以ZnO粉末为主要原料,添加TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在不同烧结温度(1100~1250℃)与保温时间(1.0~2.5h)下制备ZnO压......
ZnO压敏陶瓷由于具备非线性伏安特性高、浪涌吸收能力好、响应速度快、漏电流小等优点特性,广泛应用在家电、通讯、交通、军工、高......
ZnO基压敏陶瓷具有优良的非线性I-V特性及耐脉冲电流能力,作为过压保护和浪涌吸收元件被广泛地应用在电子线路、电力系统中,研究掺......
本文研究了共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响.结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ZnO的分解挥......
研究了B2O3(B)和Al2O3(Al)共掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能和微观结构的影响.结果 表明,共掺杂B和Al的ZnO压敏陶瓷,具有低泄漏电流、......
探讨了利用溶胶-凝胶法制备ZnO压敏陶瓷的最佳工艺条件,煅烧温度、时间和Al2O3、TiO2掺杂对ZnO陶瓷压敏特性的影响,并对样品的压敏......
本文研究了Zno压敏陶瓷材料的排胶工艺热过程，通过差示扫描量热法(DSC)和热重法(TG)分析了高中低压三种压敏电压梯度材料、从室......
本文采用传统的陶瓷工艺,对比研究了不同Y2O3含量对ZnO压敏电阻器的性能的影响。结果表明：掺杂Y2O3能够细化晶粒、提高ZnO压敏......
从多种离子反应平衡角度，对氨法共沉淀过程进行了理论分析，并在此基础上提出了数学模型和计算方法。对ZnO压敏电阻多元粉体共沉......
本文阐述了ZnO压敏陶瓷有机原材料的重要性及其最佳化应用。这些辅助原材料选择和使用得是否适宜，对于制备ZnO与添加剂浆料成分......
本文研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶粒尺寸和电气性能(包括温度特性、压敏特性)的影响，发现稀......
针对不同Bi2O3添加量对ZnO压敏陶瓷直流电场下电学稳定性的影响进行了研究.结果表明单纯增加Bi2O3添加量将对ZnO压敏陶瓷电学性能......
本文采用商用ZnO压敏电阻片，对其进行大电流冲击老化，通过宽带介电谱、扫描电子显微镜(SEM)、等手段研究了ZnO压敏电阻片冲击老......
利用正电子寿命谱(PAS)对Sol-gel法制备的ZnO压敏陶瓷材料进行了研究，分析了寿命参数与材料致密度和非线性系数α之间的关系，讨论了......
研究了碱金属氧化物掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能.实验结果......
用湿化学法经不同烧结工艺制成了ZnO压敏陶瓷，通过对压敏特性测试，结合SEM、XRD结构分析，给出了阈值电压E和非线性系数a、尖晶石相内Z......
该文研究了一价碱土金属离子Na或K掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响，应用HP4192A低频阻抗测试仪测量样品的C￣V特性曲线，并由此计算出......
采用合适的掺杂配比，运用Sol-gel技术制备了系列复合ZnO压敏陶瓷材料，采摇篮正电子寿命技术(PAS)研究了不同的烧结温度及时间对ZnO压......
ZnO压敏陶瓷具有独特的优异性能，在电力系统及电子行业中被广泛用来抑制瞬时浪涌，消除电火花。随着集成电路技术和微电子技术的发展，......
ZnO压敏电阻器具有非线性I-V特性高、浪涌吸收能力强、漏电流小、通流容量大等优点，广泛应用于电力系统和微电子等领域。传统的ZnO......
本文系统研究了CaCO_3、Fe_2O_3和CuO掺杂对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-Co_2O_3-MnO_2-Cr_2O_3系压敏陶瓷的电性能的影响；测量了CaCO_3、F......
叠层片式压敏电阻器(MLCV)和高电位梯度压敏电阻器是当前ZnO压敏陶瓷应用的两个重要方面.该文基于这两个问题,进行了低温烧结ZnO-......
近年来ZnO压敏陶瓷在电力系统、通信、交通等领域获得广泛应用,然而ZnO压敏陶瓷由于制造工艺和材料配方不合理,存在着早期失效的现......
本文采用Novocontrol 宽频介电谱仪测试了Li 掺杂ZnO-Bi2O3 系压敏陶瓷的介电性能,通过数值拟合与分析,发现Li 既可以位于填隙位形......
会议
采用低温固相化学反应法制备了Pr2O3掺杂的ZnO纳米复合粉体,并用此粉体在不同烧结温度下制备了高压ZnO压敏电阻。采用X射线衍射、......
研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文对制备ZnO压敏复合瓷粉的机械混合法和液相化学合成法两种制备工艺的现状进行分析.用化学共沉淀法制备的复合瓷粉相对机械混合......
制备了含 Ｍｎ和不含 Ｍｎ的 ＺｎＯ压敏陶瓷样品，其 Ｖ－Ｉ非线性α系数分别为 ５２．３０及１０．４０．采用电子自旋共振谱（ＥＳＲ）研究了含 Ｍｎ的样品中 ＭｎＯ_２的作用，结果表明， Ｍｎ离子是一种受......
掺杂稀土氧化物的大尺寸ZnO-B2O3系压敏陶瓷具有明显的"软心"特征,即电位梯度随试样尺寸的增大而下降,表层电位梯度高于内部.经高......
研究了Al2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响．应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能。实验结果表明：对于......
ZnO压敏陶瓷击穿场强ElmA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服......
研究了不同温度(900～1040℃)下烧结的ZnO-BiO3系叠层片式压敏电阻器(MLCV)的热稳定性和8/20 μs电流脉冲冲击稳定性,发现1000℃烧结......
为了抑制压敏防雷芯片边缘低熔点元素在烧结过程中的挥发,在芯片侧面涂覆不同配方高阻釉,研究其对压敏防雷芯片电性能的影响。结果......
研究了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度φeff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度φeff随着归一化电压的增加先逐渐增大,......
系统分析了势垒高度测量的两种常用方法(I-T特性方法和C-V特性方法)成立的条件.发现直接采用lnj-1/T曲线的基本I-T特性方法适用于......
本文对制备ＺｎＯ压敏复合瓷粉的机械混合法和液相化学合成法两种制备工艺的现状进行分析。用化学共深沉法制备的复合瓷粉相对机械混合法......
制备了含Ｍｎ和不含Ｍｎ的ＺｎＯ压敏陶瓷样品，其Ｖ－Ｉ非线性α系数分别为５２．３０及１０．４０，采用电子自旋共振谱（ＥＳＲ）研究了含Ｍｎ的样品中ＭｎＯ２的作用，结果表明，Ｍｎ离子是一种受主杂质，其价......
研究了掺杂Ce2O3和Gd2O3对ZnO—Bi2O3系压敏陶瓷电气性能的影响，发现大尺寸试样的内层电位梯度明显低于表层，即表现出“软心”特征．“......
