SnO2纳米线相关论文
本论文使用简单易行的热蒸发法、利用自行组装的实验装置,较系统地研究了金属氧化物In2O3、SnO2、Bi2O3纳米线及掺锡氧化铟纳米线......
一维结构纳米材料，包括纳米线、纳米棒、纳米管不仅可以作为纳米尺寸器件的功能组件或纳米器件之间的连接材料，还是研究一维纳米结构......
SnO2是一种重要的n型半导体,在常温下其禁带宽度为3.6 eV。由于SnO2一维纳米材料具有特殊的气敏、透光和导电特性,在构造气敏传感......
以SnO2粉末和碳粉的混合物为源,高纯氮气为载气,利用化学气相沉积法在1 000℃下,在溅有Au的单晶Si衬底上制备了SnO2纳米线.用SEM、......
本文使用先进的球差校正环境透射电子显微镜(AC-ETEM)与原位电化学测试平台,在环境透射电镜中以SnO2纳米线作为空气正极,构建起一......
采用阳极氧化的方法制备了孔径为30～50nm多孔阳极氧化铝(AAO)模板,用交流(AC)电沉积法在氧化铝模板孔洞内沉积金属锡,然后在空气中7......
为了提高SnO2纳米线基气敏传感器在实际应用中存在着灵敏度低、选择性差等问题,采用物理热蒸发法制备纯SnO2纳米线和不同质量百分......
用化学气相沉积法在管式炉中制备了SnO2掺Ag纳米线。纳米线直径约50 nm,长几十微米。通过XRD、TEM和Raman谱仪等测量确定SnO2掺Ag......
采用热蒸发法,在镀有Au(金)的多孔泡沫镍基底上生长了SnO2纳米线,生长温度分别为750℃、800℃和850℃,分别利用X射线衍射仪(XRD)、......
具有四方金红石结构的SnO2纳米线是一种直接宽帯隙的N型半导体材料，在室温下的禁带宽度为3.6eV。同时由于纳米线的形貌结构拥有大的......
