【摘 要】
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采用热蒸发法,在镀有Au(金)的多孔泡沫镍基底上生长了SnO2纳米线,生长温度分别为750℃、800℃和850℃,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了生长温度对纳米
【机 构】
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长安大学材料科学与工程学院,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
【基金项目】
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陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2017JQ5018),中央高校基本科研业务费专项资金(310831161016),西安交通大学金属材料强度国家重点实验室开放课题(20161809).
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采用热蒸发法,在镀有Au(金)的多孔泡沫镍基底上生长了SnO2纳米线,生长温度分别为750℃、800℃和850℃,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了生长温度对纳米线生长行为的影响,采用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了样品的元素结合态,采用荧光光谱仪研究了样品的室温光致发光(PL)性能。结果证明,生长温度对SnO2纳米线形貌、尺寸、密度等形态学特征影响显著。在750℃下,SnO2为颗粒状;800℃生成了较高密度的SnO2纳米线,且随温度升高纳米线产量增加、直径显著增大;在850
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