MRAM相关论文
在半导体工艺不断逼近物理极限的背景下,各种新型存储器技术推动着集成电路的创新发展。基于自旋转移矩的磁性随机存储器（Spin Tran......
MRAM作为新型的非易失性存储器,不仅有着掉电不丢失数据的特性,在功耗、容量、寿命和读写速度等方面的性能也不逊色于主流存储器。......
近年来,随着GMR效应的深入研究和广泛应用,极大地推进了基于GMR效应的磁存储器件MRAM（Magnetic Random Access Memory）的研究和开发......
We will give a brief overview of scaling of power dissipation of CMOS.Then I will describe the advantage of collective s......
随着电子设备在商业、工业及军事等领域的广泛使用,集成电路技术得到前所未有的发展。测试是集成电路产品生产过程中不可或缺的一......
Cypass半导体公司最近公布了其受人关注的MRAM产品技术规范的第一个版本,即2款64位和256位MRAM存储芯片的技术白皮书。按照上面的......
1．引言新千年信息怎样储存?又如何传输?这是新一代计算机面临的首要问题。MRAM是磁阻随机存取存储器 Magneto-resistive Random Acc......
本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等。
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在国际半导体电路评审会上 ,摩托罗拉公司发表了 2 5 6ｋＲＡＭ。本次发表的ＭＲＡＭ ,它是以单管和单磁通道连接所定义的存储单元作为基准的 ,实现......
在掉电的情况下仍然可以保持数据,读写速度接近CPU的高速缓存,芯片储存密度与DDR和RDRAM相当,这就是MRAM,一种全新的随机存取存储......
本文首先结合自旋相关隧道效应及磁性隧道结的介绍,系统论述了基于MTJ单元的MRAM的基本原理及其存在的问题.然后重点描述了微磁学......
本文利用微磁学模拟的方法对感应式薄膜磁头极尖用FeAlN材料磁导率的高频响应和MRAM中一个存储单元的存储性能进行了研究。 ......
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品供应商Everspin科技公司,近日推出了高容量16Mb MRAM产品.......
A Novel Design and Fabrication of Magnetic Random Access Memory Based on Nano-ring-type Magnetic Tun
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
对非易失性存储器MRAM(Magnetic Random Access Memory磁阻随机存取存储器)特性进行分析,论述了其独特的工作原理,对其发展历程作......
Single barrier magnetic-tunnel-junctions (MTJs) with the layer structure of Ta(5)/Cu(30)/Ta(5)/Ni79Fe21 (5)/Ir22 Mn78(12......
主要研究了不同保护层Ta和Ru对磁性薄膜NiFe的厚度及磁性的影响.通过观察可以看出,NiFe/Ta,NiFe/Ru界面间产生了磁矩为零的部分层......
回顾从首款商用磁随机存取存储器(MRAM)芯片面世以来国际上对MRAM芯片辐射效应的研究;总结MRAM总剂量电离效应和单粒子效应辐照试......
在下一代存储器的开发中,强电介质存储器MRAM(磁膜RAM)、OUM(双向一致存储器)是最有力的修补者,多家公司都进行产品化.不过各家公......
NEC和东芝宣布，在研制磁阻随机存取存储器(MRAM)的进程中取得关键进展。MRAM技术被视为开发未来高性能移动设备的关键，两公司于2002......
2005年底索尼发布了一款高速存储器，它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写人次数等特性。该存储器采用了非易失性的......
利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏，全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM（见图1）。在与磁......
NEC公司开发出实现零待机功耗SoC所需的关键技术——“非易失性磁性触发器（MFF）”。该技术可以大幅降低数字消费类设备及便携设备的......
Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁体层并不是单纯的铁磁板。相反，它们是合成的反铁磁体（synthe......
磁性随机存储器（MRAM）和集成磁产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可......
MRAM是Magnetic Random Access Memory的缩写,我们称之为磁性随机存取储器。MRAM具有不挥发和高速两个特点,因而被作为21世纪标准......
研究了MRAM存取技术的基本原理，比较分析了1T1MTJ架构和XPC架构下MRAM的存取机制，探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景.......
研究在发电机励磁系统中设计实时数据记录及参数显示模块，将总线传递的数据进行处理，并实时存储的一种设计方案。系统采用铁电存储器......
6月22日,英飞凌(Infineon)科技和IBM展示全球第一款16Mbit磁阻式随机访问存储器(MRAM)。新展示的非易失性存储器芯片是目前为止密......
经常有人将磁阻RAM（MRAM,magnetor-esistive random access memory）称作是非易失性存储器（nvRAM,Non-Volatile RAM）在未来的关键性技术......
Freescale运用自旋电子技术制作了新的非易失性RAM,本文对此进行了详细介绍。
Freescale made new non-volatile RAM using spint......
自从2004年成立以来,飞思卡尔半导体一直处于变革与调整中。2005年登陆资本市场;2006年被收归于私募基金旗下;2007年淡出全球十大......
介绍现代高速度大容量非易失随机数据存储的性能特点和典型器件;分析对比常见各种高速度大容量非易失随机数据存储器件的关键特性;......
有消息称，三星将在5月24日的晶圆厂商论坛活动中公布其全新研发的MRAM，即磁阻式随机存储器。据悉，新的MRAM速度比普通闪存快10万倍，更......
介绍了一种基于巨磁电阻效应的全新的磁电子学器件－巨磁电阻随机存储器。...
磁电存储器不仅存取速度快、功耗小,而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身,因而已成为动态存储器研究领域的一个热......
在最近美国夏威夷举行的本年度VLSI电路学术研讨会上，Infineon公司(位于德国慕尼黑)推出了世界上首个16Mb磁阻RAM(MRAM)样品。这项......
存储芯片被广泛应用在计算机、手机、音乐播放器、数码相机、家电设备、飞机和汽车上，已经达到了几平无所不在的程度。不过，不同的存......
作为一项非易失性存储器技术，MRAM（磁电阻式随机存储器）可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在......
MRAM静态随机存取存储器是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路技能保存它内部存储的数据。它的主要优点是速度快,不必配备......
赵建坤介绍了海康探索新型存储器芯片MRAM的发展历程。他说,海康是做监控的,更是做存储的,因为海康本身起步于中电科52所,即计算机......
