CdznTe相关论文
碲镉汞(Hg1-yCdyTe,HgCdTe)是制备高性能红外探测器的优良材料,在气象预报、资源探测和天文观测等领域中有重要的应用。碲锌镉(Cd1......
红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术, 已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉......
碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或CdZnTe)是制备碲镉汞红外焦平面探测器的理想衬底材料,本文介绍了上海技术物理研究所在碲锌镉衬底研制方......
生长态的CdZnTe晶体内常常存在各种缺陷,包括点缺陷、位错、Te沉淀相和Zn的成分不均匀等。缺陷的大量存在使晶片不能满足作HgCdTe......
近年来,碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点,适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题.本文主要探讨了弱n型......
近年来,CdZnTe薄膜探测器由于制备简单、厚度小、成本低、质量轻,还可以制备成大尺寸、多层和多功能叠层结构,愈来愈引起人们的广......
CdZnTe是一种性能优异的高能射线探测材料,在空间科学、核安全以及核医学等众多领域有广泛的应用前景.本文选取了3枚不同等级的CdZ......
CdZnTe晶片是HgCdTe外延薄膜的理想衬底.为了优化CdZnTe衬底的电学接触性能,作者基于真空蒸发法和磁控溅射法分别在p型导电性CdZnT......
CdZnTe(CZT)核辐射探测器具有较高的探测效率和较好的能量分辨率,广泛应用于x、γ射线探测和成像装置,在国家安全防务、核探测、核......
CdZnTe核辐射探测器由于可在室温下稳定工作,并且对X、γ射线有较高的探测效率和较好的能量分辨,因此已广泛应用在核安全、环境监......
Cd1-xZnxTe晶体具有优异的光电性能，是一种非常重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。当x=0.04时，它是红外探测器材料Hg1-yCdyTe的理想外......
目前CdZnTe晶体是制备X及γ射线探测器最优选的材料。CdZnTe探测器可广泛用于安检、工业探伤、医学诊断、天体X射线望远镜等方面。......
During the crystal grown by VBM, the solid/liquid interface configurations greatly influence the quality of as-grown cry......
采用三维数值模拟手段对微重力条件下熔体内部的热毛细对流以及常重力条件下熔体内部的热毛细?浮力对流进行研究。模拟中选取无磁......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对高辐射通量条件下碲锌镉(CdZnTe)辐射探测器对模拟前端输出信号应具有快速上升时间及窄脉宽的要求,研究了CdZnTe探测器中电荷......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用扫描电子显微镜技术对Cd Zn Te单晶片中的沉积相进行成分分析研究,结果表明通过红外显微系统观察到的Cd Zn Te晶片中常见的“......
为了满足辐射探测器件的需要,将生长得到的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体在In气氛下进行退火处理能有效提高晶体的电阻率等性能.退火处理过程......
用显微光致发光（μ-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究．分别在19μm×16μm的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面......
用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为......
CdZnTe晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性......
碲锌镉(CdZnTe)作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因其具备优异的光电性能,成为制备室温辐射探测器的理想材料。但生长态的CdZnT......
杂质是影响碲镉汞器件性能的重要因素之一。对于碲锌镉衬底晶体和窄禁带碲镉汞材料来说,杂质的影响更加显著。主要论述了碲镉汞材......
CdTe和CdZnTe是X射线和γ射线探测器最理想的材料.钝化可以降低CdTe和CdZnTe的表面漏电流,提高其能量分辨率.本文综述了CdTe和CdZn......
CdTe和CdZnTe是X射线和γ射线探测器最理想的材料.钝化可以降低CdTe和CdZnTe的表面漏电流,提高其能量分辨率.本文综述了CdTe和CdZn......
在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相.采用Cd气氛退火......
在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相.采用Cd气氛退火......
Measurement of air kerma rate and ambient dose equivalent rate using the G(E) function with hemisphe
Since the room-temperature detector CdZnTe (CZT) has advantages in terms of detection efficiency,energy resolution, and ......
介绍了CdZnTe单元平面型射线探测器工作原理和模型,并对其输出的电流脉冲信号进行了理论计算和分析,结果表明输出电流信号约为1 nA......
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本文主要分析了作为分子束外延碲镉汞的碲锌镉衬底的表面预处理工艺。湿化学处理工艺主要目的是去除衬底表面损伤层，0.5%溴甲醇溶液......
文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)......
利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱，对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值，根据实验......
利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱，对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值，根据实验......
碲锌镉 CdZnTe（211）B 衬底广泛应用于碲镉汞（HgCdTe）分子束外延生长，其性能参数在很大程度上决定了碲镉汞分子束外延材料的质量。主要讨......
用显微荧光(μ-PL)方法对在我国"神舟3号"上空间生长的CdznTe晶片中zn组分分布的研究.对晶片的单晶"壳"区及未完全熔化的"芯"区中......
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利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe：In。不同In压下（Cd，Zn分压保持在平衡分压）的热处理实验结果表明：热处理后样品的电阻......
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文章主要通过扫描电镜、红外傅立叶光谱仪、红外显微镜、X光回摆曲线和形貌像的分析手段结合磨抛、腐蚀的工艺对影响碲锌镉红外透......
采用热弹性模型计算了垂直Bridgman（VB）法生长CdZnTe单晶体过程中的应力场,研究了坩埚内壁碳膜的厚度对晶体内热应力的影响.计算结果......
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利用红外（infrared，IR）显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外（Fourier transform infrared，FTIR）光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹......
MOVPE(Metal-organic vapour phase epitaxy)是目前流行的一种生长衬底上生长半导体薄膜材料的方法.讨论在碲锌镉(CdZnTe)和GaAs衬......
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响.本文采用有限......
