Te夹杂相关论文
太赫兹波是介于红外与微波之间的电磁波,处于光子学与电子学的交叉波段。近二十年来,随着光电子学、材料科学的发展,对于太赫兹波......
碲镁镉(Cd1-xMgxTe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。其具有较高的密度和平均原子序数、大的禁带宽度、高的电阻率和优......
利用红外（infrared，IR）显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外（Fourier transform infrared，FTIR）光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹......
以配比为 150mL饱和重铬酸钾水溶液比20mL HCl的腐蚀剂,对Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s为单位,连续腐蚀了5次,对每次腐蚀后的表面形貌......
期刊
采用红外透射显微镜检测和研究了热解氮化硼(PBN)坩埚生长碲锌镉晶体(CdZnTe)中的缺陷—夹杂,并对夹杂的影响因素进行了分析。研究......
本文观察了Cd 0.96Zn0.04Te晶片的8层红外透射分层域聚焦显微像,分析了各个层域的Te夹杂情况及Te夹杂密度,指出了找到CdZnTe较小夹......
利用温度梯度溶液生长法（TGSG）在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20......
采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为＋30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与......
采用垂直布里奇曼法（VB）生长CdMnTe晶体，由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素，晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等，限制其在......
