Buried-channel相关论文
本文对一种新型增强型4H-SiC埋沟MOSFET结构的工作机理进行了研究.通过对不同偏压下电荷分布和电势分布的分析,分别总结了线性区和......
采用三相埋沟结构，设计并研制成功用于高背景下红外探测器的高灵敏度４×１２８元ＴＤＩＣＣＤ信号处理器件，器件转移效率９９．９９％，动态范围６０ｄＢ，时钟频率１０ＭＨｚ文章详细阐......
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个......
采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范......
