铜膜相关论文
利用电子束蒸镀设备沉积金属薄膜是微电子领域最常见的薄膜沉积工艺之一。然而使用普通钨坩埚电子束蒸镀铜薄膜时，沉积速度非常低。......
在水热条件下以H2O2对聚碳酸酯(PC)表面进行改性.用射频磁控溅射法在原始PC以及改性PC表面制备金属Cu膜.用原子力显微镜(AFM)表征......
对三种碳纤维复合材料先进行MEVVA源铜离子注入,注入剂量为1×1016离子/cm2,然后用离子束辅助沉积技术沉积铜膜.对沉积了铜膜的三......
我们区分了在单身者上扔的 Cu 电影的效果水晶一 -- ， r- ，和在 graphene 电影之上的 c 飞机蓝宝石底层与气压化学药品蒸汽免职(CVD ......
采用定点激光反射热循环测量基片上薄膜应力的新方法,测量了硅片(100)上四种厚度(0.24μm,0.53μm,1.28μm,3.42μm)磁控溅射纯铜......
如何区分晶粒尺寸与膜厚对金属薄膜力学行为的贡献一直以来是材料学和力学尚未解决的问题。本文采用磁控溅射法，通过间歇沉积工艺实......
传统的化学镀铜溶液多采用甲醛作为还原剂，但甲醛蒸汽具有较大的毒性，不利于环保生产。用次磷酸钠代替甲醛的化学镀铜溶液以其pH低、......
本文采用化学镀铜法,在玻璃表面制备了纳米铜膜，利用原子力显微镜(AFM)研究了铜膜表面形貌的变化。结果表明，在玻璃表面形成完整致密......
铁氧体作为功率元件是微波介质器件中不可缺少的组成部分，一般情况下是将铁氧体固定在介质器件中，而如何固定铁氧体一宜是个难题......
本文对圆波导谐振腔和加载介质谐振腔进行了详细分析,提出了利用蓝宝石加载谐振腔测量微波表面电阻的一种新方法.由三个不同直径、......
用化学镀法和置换沉积法在ＬａＮｉ〈，４．７５〉Ａｌ〈，０．２５〉材料颗粒表面镀上铜膜，然后压制成块。处理后材料的放氢速率、导热性能、抗粉化效果都有显著提高......
随着半导体集成电路的发展,Cu膜作为集成电路的引线材料已经出现.该文采用磁控溅射的方法,分别在Si衬底和具有不同SiO膜厚度的SiO/......
采用定点激光反射热循环方法,测量了硅基体上铜膜应力随温度的变化及等温松弛.结果表明,开始加热时,应力随温度的增加以-2.62 MPa/......
标签的主要任务,就是用来标识产品或者商品等物件的主要信息,并且要求记录的信息有较高的可靠性、准确性,还要求标签本身具有低廉......
采用定点激光反射热循环方法，测量了硅基体上铜膜应力随温度的变化及等温松驰。结果表明，开始加热时，应力随温度的增加以－２．６２ＭＰａ／℃的速率线性......
用磁控溅射工艺在不同的沉积温度下生长300 nm厚Cu膜。用原子力显微镜（AFM）获取薄膜表面形貌，并基于分形理论定量表征；用四点探针电阻......
实现聚碳酸酯(PC)材料高品质焊接是拓展其工程应用的重要方向.焊接件残余应力聚集的位置易产生变形、裂纹等缺陷,使用过程中进而会......
本文主要研究了13Cr试样在鲜酸腐蚀过程中表面形成的缓蚀剂保护膜对该试样在后期残酸试验中腐蚀程度的影响。SEM、EDS分析结果表明......
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上淀积500nm厚Cu膜，在不同温度下进行原位退火处理。用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）......
组装于硅片或玻璃片基片上的重氮树脂(DR)单层膜,吸附Sncl2,Pd催化剂后,通过无电沉积的方法,在这些基片上制备了铜膜.对得到的铜膜......
本文研究了通过ＸｅＣｌ准分子激光照射Ａｌ２Ｏ３陶瓷表面后，使其表面沉积金属Ｃｕ的技术，实验结果表明，Ａｌ２Ｏ３试样浸入Ｃｕ２ＳＯ４溶液后，金属Ｃｕ膜只沉积于激光照射区。经准分子......
采用定点激光反射热循环测量基片上薄膜应力的新方法，测定了硅片（１００）上四种厚度（０．２４μｍ，０．５３μｍ，１．２８μｍ，３．４２μｍ）磁控溅射纯铜膜应力随温度（２０～３００℃的变化，发现屈服强度......
论述了制造多层电路板时,通孔上晕圈产生的原因主要是氧化铜膜的溶解,通过对氧化铜膜的还原、腐蚀和化学镀铜等方法可以抑制晕圈的......
采用离子束增强沉积（IBED）铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构，比采用电子束蒸镀钛－铜多层膜结构工艺简单，且不增加光刻腐蚀......
用直流磁控溅射法分别在涤纶机织布、针织布、纺粘非织造布表面制备铜薄膜,并用频谱分析仪与专用波导管测试所得样品在100 MHz-1.5......
合成了一系列三正丁基膦辅助配体稳定的铜(Ⅰ)β-二酮配合物,对合成的配合物用元素分析、红外、核磁共振以及热重和差热等手段进行......
采用红外光弹测量法测量用磁控溅射淀积在SiO2/Si晶片表面的Cu膜在Si衬底中引入的应力.结果表明:SiO2在Si衬底中引入张应力,而Cu在......
日本的利昌工业公司（大阪市）新近开发成功了一种印刷电路板用低热膨胀镀铜膜的叠层层合板，其产品样品已正式生产出厂。这种叠层层合板......
在熔石英元件表面溅射一层厚度小于10nm的金属铜膜污染物，并测试元件的透过率。测试355nm熔石英元件的激光损伤阈值，并用光学显微镜......
采用光学方法,测量了硅基镀铜膜的应力随厚度及温度变化关系.实验结果表明与弹性理论一致,屈服强度与膜厚的倒数近似成正比,且应力......
为了有效提高集成电路铜布线层铜膜在化学机械抛光(CMP)过程中的台阶高度修正能力,在由胶体二氧化硅(平均粒径为100 nm)0.5%(质量......
用反射式动态椭圆偏振光谱技术对Cu块材、Cu薄膜及Cu厚膜的光学常数进行了测试分析。研究结果表明：与Roberts块材、Johnson厚膜数据......
本文对以二（乙酰丙酮根）合铜（Ⅱ）和二（三甲基乙酰三氟代丙酮根）合铜（Ⅱ）为母体的化合物，用１０．６μｍ和２８０ｎｍ激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针......
运用分子动力学和静力学方法对〈111〉生长铜膜中孪晶形成的原子过程与能量进行了模拟研究.所用的原子间相互作用势为Finnis-Sincl......
目的研究一种复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制效果。方法通过单因素实验优化无磨料复合清洗剂组成和相应的清洗工艺，并通过研究......
用磁控溅射工艺在不同沉积温度制备200 nm与2μm厚的Cu膜，并用X射线衍射仪（XRD）与光学相移方法测量薄膜织构与残余应力。结果表明，对于......
研究了铜膜电极代替汞膜电极测定重金属铋的差分脉冲溶出伏安法.实验了同位镀膜法测定铋的条件.在最佳实验条件下,Bi3+浓度在5......
利用Lambda-900分光光度计对离子束溅射沉积不同厚度Cu膜测定的反射率和透射率,运用哈德雷方程,并考虑基片后表面的影响,对离子束......
实验通过控制镀膜温度、功率、压力和时间的工艺条件,采用磁控溅射法在玻璃基板表面沉积纳米Cu膜,利用XRD、SEM和四探针测试议测试......
对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验，分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通......
基于方波伏安法制备铜层修饰玻碳电极,同时利用新鲜的敏感铜膜催化还原硝酸根。讨论了电解质及pH值等参数对硝酸根还原电流的影响......
