载流子漂移速度相关论文
本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ—ＭＯＳ－ＦＥＴ一级近似下电流模型的解析表达式．并对其物理机制进行了分析讨论．
Based on the current......
以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础，推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式，并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。
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本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可......
频率响应是探测器的重要特性之一,本征频率响应决定了探测器的响应带宽.在前人使用扣除法提取探测器本征频率响应工作的基础上,综......
第1期极性晶体中激子的性质···············································......
V形栅的设计思想可由图2表明,其原理已在Electron.Lett.1974,[10],P.478一文中阐明。用厚0.5到1微米、掺杂浓度n(∽－)10~(17)厘米~......
本文由泊松方程和连续性方程在某种假设下推导得端电压方程,用以研究了具有 PTF>1及均匀载流子漂移速度的n~+PP~+(或P~+nn~+)、n~+......
绪言碳化硅(以下简称SiC)半导体是在五十年代后期作为一种耐高温的半导体材料发展起来的。但由于受六十年代初世界性经济衰退的影......
本文述评了SPRITE红外探测器研制过程中的几个问题。介绍了调制传递函数和空间分辨率的改善情况,指出:对于SPRITE探测器,要求载流......
1.引言 众所周知,晶体管的电流增益与收集极电流有关,开始它随收集极电流增大而增大,达到一最大值后,它又随收集极电流的进一步增......
一、前言在LSI及VLSI设计中,利用CAD电路模拟进行辅助设计巳成为必不可少的手段。为了优化电路,精确控制电路的性能,希望CAD模拟......
本文介绍了红外探测器及其在热成象等领域里应用的原理、工作方式和各种性能参数指标。
This paper introduces the infrared det......
