表面陷阱相关论文
在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,......
为了研究漏极偏压变化对P-GaN器件可靠性的影响,文中对P-GaN商用器件进行漏极应力测试。通过改变漏极应力偏置电压和偏置时间,观察......
第三代半导体材料GaN具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN／GaN HEMT的研究已经取得很大的进展,但应......
碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速率、高临界击穿场强、高热 导率等优良特性，在高频、高温、大功率、抗辐射等领域拥......
学位
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借助ISETCAD，对4H—SiCMESFET进行二维数值模拟，研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明，在直流特性上，由于表面陷阱......
观察了AlGaN／GaNHEMT器件在短期应力后不同栅偏置下的一组漏极电流瞬态，发现瞬态的时间常数随栅偏压变化很小，据此判断这组瞬态由电子......
SiC材料作为第三代半导体材料的代表之一,以其较宽的禁带宽度、较高的临界击穿电场、载流子饱和漂移速度以及热导率等特性,在高温,......
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运用二维器件模拟器ISETCAD对4H—SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟，重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比，埋栅......
分析了表面陷阱对4H—SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上，由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压......
碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速率、高临界击穿场强、高热导率等优良特性,在高频、高温、大功率、抗辐射等领域拥有......
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在真空环境下采用电子束辐照对环氧微米复合介质试样进行表面处理,测试辐照前后试样的表面电位衰减和表面电导等特性。结果表明：辐......
与Si、GaAs基等传统电力电子器件相比，宽禁带半导体材料GaN不但具有临界击穿电场高、电子饱和速率高、耐高温、抗辐照等优势，同时由......
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第三代半导体材料GaN具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN/GaN HEMT的研究已经取得很大的进展,但应......
碳化硅（SiC）材料由于具有大的禁带宽度、高的临界击穿电场、高的电子饱和速度以及高的热导率等性能,在高温、高功率、抗辐照等工作条......
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