纳米硅薄膜相关论文
用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法实现了纳米硅(nc-Si:H)薄膜的磷掺杂.磷掺杂样品的`电导在10-10Ωcm之间,比本征纳米硅样品提高......
研究p型纳米硅薄膜材料带隙对硅基薄膜太阳电池性能的影响.采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,通过硅烷浓度的优化,得到了比较均匀的晶化率纵向分布.当厚度小于1984nm时,薄膜随着厚度......
纳米薄膜是具有纳米微结构的薄膜材料,其结构可从几纳米至0.1微米,可由多种方法得到,如:RF方法、PECVD方法.薄膜的结构特点是:由纳......
纳米硅(nc-Si)薄膜作为半导体材料中的重要一员,其制备方法及性能研究已经成为国际上的热点之一。本文利用一种激光干涉诱导结晶的......
本文阐述了纳米硅薄膜在太阳电池领域中特殊作用。由于他自身的特殊结构使它具有其他几种硅材料所不具有的性能尤其是具有量子特性......
该文工作主要集中在用于制备非晶硅和纳米硅薄膜太阳电池的多腔室、大面积等离子体沉积系统的研发。在制备工艺方面,系统研究沉积压......
<正> 纳米固体材料由于具有高浓度界面的结构特性以及相伴随着的新颖物性,1984年以后在材料各个领域得以迅速发展。近年来,随着纳......
采用PECVD法制备的纳米硅薄膜是一种具有特殊性能的人工材料。它是由大量具有纳米量级的硅微晶粒构成,纳米硅晶粒镶嵌在由非晶硅构......
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜......
随着纳米技术的发展,在信息领域中重要的半导体硅材料已被研制成具有纳米结构的薄膜材料,称之为纳米硅薄膜(nc-Si:H)。经过近二十年的......
采用ANSYS有限元计算程序,对纳米硅量子点薄膜内部的电场强度进行了模拟计算,研究了纳米硅量子点半径、纳米硅薄膜厚度、量子点外......
本文阐述了含纳米硅薄膜发光的QCLC模型机理,即光激发仍然发生在纳米硅粒子内部,而辐射复合则发生在纳米硅粒子的表面或外部(......
本研究采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅(nc-Si:H)薄膜.利用高分辨电镜(HREM)、Raman......
纳米薄膜是具有纳米微结构的薄膜材料,具有卓越的光敏性和电子学特性,在量子器件及光电器件方面,有很好的应用前景,因而激发了人们......
本文研究在薄膜的加氢生长过程中,通过控制工作气体成分、云室气压、衬底温度、退火时间,可以得到不晶化程度的纳米硅薄膜.......
用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法实现了纳米硅(nc-Si:H)薄膜的磷掺杂.磷掺杂样品的电导在10-10Ωcm之间,比本征纳米硅样品提高......
场发射压力传感器是高真空技术与微电子技术相结合的一种耐高低温、抗辐射的小型高灵敏度新型器件,具有重要的研究价值.本文从具有......
纳米技术的主要内容其实是为揭示物质的潜在信息和结构潜力。所以,在研制纳米硅薄膜的基础上,把这种新型薄膜应用于场致电子发射传感......
设计研制了一种基于量子隧道效应机制的体硅MEMS微封闭式场发射压在原型器件,并有效的把低维半导体纳米硅技术引入微电子和硅微机械......
用热丝助化学汽相反应法沉积了nc-Si:H薄膜,测量了它的喇曼散射谱,由透射电子显微镜直接测量了晶粒的大小和分布。应用声子强限制模型和球形......
通过对场发射压力传感器各种结构形式和研究进展的综合和比较,阐明了半导体场致电子发射效应的高技术应用途径;传感技术中纳米硅薄......
该文报道了在等离子增强化学汽相淀积(PECVD)系统中,用高倍氢稀释硅烷作为反应气体,在射频和直流双重功率源作用下制备了纳米硅薄......
硅微悬梁传感器是原子力显微镜的基础上发展起来的一种高灵敏度器件,这种结构的传感器由于其体积小、灵敏度高,近年来在生化传感器......
硅在地壳中的含量较高,作为锂离子电池负极材料其理论比容量为4200mAh/g左右,放电电压低而且安全性能较好,因此一直是锂离子电池负极......
纳米硅(nc-Si)薄膜是硅纳米晶与非晶硅(a-Si)网络复合的一种半导体纳米材料,掺入氢后在室温下具有优良的综合性能,如高的电导率、对......
本项目是根据现有条件和已了解的纳米硅薄膜的应用特性为基础,主要选择了X射线衍射、红外光谱、辉光放电光谱、扫描电镜等多种分析......
随着英特尔公司宣布开始量产22纳米工艺制程的芯片,集成电路的器件线宽不断减小,基于电荷存储机制的传统存储器已经遇到极大的挑战......
该文讲述了超晶格多量子阱、硅基材料及半导体纳米材料光学非线性的研究发展现状,介绍了超晶格多量子阱在光电器件上的应用,从硅基......
纳米硅器件是当前微电子学和纳米电子学研究的热点,并被证明在硅基光电集成的运用上具有良好的前景。纳米硅器件的研究和应用的关键......
自上世纪60年代以来,以集成电路为核心的微电子技术迅猛发展,深刻地改变了人们的生产、生活和工作方式,使人类步入了信息时代,而硅作为......
随着微电子技术在近几十年内的快速发展,芯片的集成度不断提高,硅基功能器件正朝着更快,更小,更冷的方向发展。当硅尺寸减小到纳米尺度......
基于半导体硅材料的微电子技术自上世纪四十年代诞生以来,就以其蓬勃的发展势头,引起了全世界研究的热潮。经过半个多世纪的发展,微电......
随着第三代新型纳米薄膜太阳电池的问世,具有优良光电特性的纳米硅薄膜成为当前光伏电池技术研究开发的热点。纳米硅薄膜材料不仅......
氢化纳米晶Si(nc-Si:H)薄膜,是制作高效率太阳电池的关键。本论文分析了影响p+(nc-Si)/i(a-Si)/n(c-Si)异质结太阳电池性能的主要因......
MEMS压力传感器是最早开展研究,进行工艺实现并达到商业化的MEMS器件,能广泛应用于工业控制、生物医疗、环境检测、航空航天等领域......
本文利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,以SiH4和H2作为反应气体源,用H2稀释的PH3和B2H6作为掺杂剂,通过改变掺杂浓度......