光吸收谱相关论文
本论文主要依托国家高技术研究发展计划（批准号：2009AA03Z405）和国家自然科学基金（批准号：60908028）,对电磁感应透明现象在原子系统和量......
随着石墨烯的成功制备,各类原子级厚度的二维材料及它们的纳米结构迅速吸引了人们的目光。二维材料突破了三维块体材料在小尺度下......
在一维紧束缚微带和接触库仑相互作用近似下, 利用扩展半导体布洛赫(Bloch)方程研究飞秒激光脉冲激励的太赫兹场驱动的半导体超晶......
采用自悬浮定向流技术制备银团簇纳米颗粒,理论分析了银团簇的成核机理与影响因素,实验研究了制备条件和工艺.结果表明:惰性气体的......
用离子束溅射技术和热处理方法，制备出颗粒尺寸和镶嵌密度均可控制的高质量Ｇｅ－ＳｉＯ２纳米颗粒镶嵌薄膜，在室温下测量了不同粒度纳米锗颗粒镶嵌......
在钛宝石激光晶体的发展过程中,缺陷问题对激光性能有着重要的影响.近年来,研究者在高Ti浓度的钛宝石晶体中观察到一些新的光学现......
对于搜寻在可见光波段下的光催化剂材料来说,材料能带结构以及光吸收性质能为我们的搜寻工作提供极大的帮助。所以计算材料的基态......
低维关联系统的光电激发和在非绝热条件下的物理特性是多体理论研究的难点问题.该文从系统的微观模型出发,通过正则变换选取电声子......
在该课题中,我们以Li原子为例,利用半经典闭合轨道理论结合含时微扰方法分别给出了Li原子在正弦振荡场以及脉冲场中的吸收谱,分析......
人们对半导体量子点的光学性质已经进行了长期的研究和探索。一个量子点系统并不是孤立于环境而存在的。也就是说，在考虑发生在量子......
本文用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计对ZnO薄......
期刊
用半导体量子点的PLE谱分析了光吸收谱的亚结构.用光吸收谱,光致发光谱(PL)和光致发光激发光谱(PLE)对半导体CdSeS量子点玻璃进行......
以含时密度泛函理论为基础,结合从头赝势方法运用含时局域密度近似计算了Na5,Na6和Na7团簇的动力学极化强度,并通过傅里叶变换得出......
采用含时局域密度近似与分子动力学相结合的方法计算了C4分子的光学吸收谱及它在激光场中的响应.研究表明,在激光场中C4分子的诱导......
在室温下测量了３ 种不同的掺杂浓度（６０ ａｔ％ ，４．０ ａｔ％ ，３．２ ａｔ％ ） Ｙ Ｖ Ｏ４： Ｔｍ ３＋ 在２００～９００ ｎｍ波段的吸收光谱。结果指出， Ｔｍ ３＋ 掺杂的 Ｙ Ｖ Ｏ４ 晶体光吸收值随 Ｔｍ ３＋ 浓度而变化，每一谱带......
采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术以N2/SiH4/H2为反应气体制备了镶嵌有纳米非晶硅颗粒的氢化氮化硅薄膜,通过改变N2流量实现了......
采用磁控溅射方法在硅片上,成功制备了不同氮偏压下的非晶GaAs1-xNx薄膜.结合AFM和光谱仪等手段对样品进行了表征,结果表明：随着氮......
使用多体摄动理论研究了碱土金属氧化物CaO的电子激发态和光吸收谱.运用GW近似方法来改进DFT对电子交换关联的处理,并计算了CaO电......
利用嵌入原子簇模型结合F心的类H离子波函数，研究了α－Al2O3晶体中F3聚集型色心存时，晶体的能带结构、态密度、Nykkuken电荷布居的变......
基于激子基，采用密度矩阵理论研究了太赫兹场作用下半导体超晶格的子带间动力学过程及光吸收谱。在太赫兹场的驱动下，激子作布洛赫振......
对碳纳米管掺杂特性的了解是控制其价电子的关键.研究发现:单壁碳纳米管进行K掺杂后,其电阻率和转折温度 T (高于此温度后,dρ/d......
采用湿化学方法制备了Co掺杂的二氧化锡纳米粉（Sn1-xCoxO2），经研究发现，Co以离子形式存在，而不是以单质形式存在，样品中除了金红石型的Sn......
采用密度泛函理论的杂化密度泛函B3LYP方法和基于含时密度泛函理论的赝势平面波方法，结合含时局域密度近似，计算了SiHn（n=1-4）和Si2H2......
用密度矩阵理论分析了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱和双量子阱的光吸收谱.分析表明：在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束......
在10K温度下,通过光致发光和光吸收谱实验研究半导体CdSSe量子点,并进行了变温测量.分析了半导体量子点的量子尺寸效应、量子点电......
用光致发光激发光(PLE)谱与光吸收谱和光致发光(PL)谱相结合,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入......
运用含时密度泛函理论和分子动力学相结合的方法,研究线形和环形C4分子的光吸收谱及在强激光场中的电子和离子响应.研究表明,在相......
采用螺旋波等离子体化学气相沉积（HWPCVD）技术制备了非化学计量比的氢化氮化硅薄膜，对所沉积样品及氮气环境中920℃退火样品的微观结......
采用漂移法，在玻璃衬底上制备出粒径分别为117，350和500 nm单层、大面积的聚苯乙烯胶体球掩膜板，在已制得的掩膜板上用射频磁控溅射的......
采用等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD）通过改变NH3流量制备出不同含氮量N型富硅氮化硅硅薄膜。利用Raman散射、红外吸收、紫外-......
光吸收谱是识辨团簇异构体的重要工具,常被形象地比作团簇的"指纹".为了研究之前实验中Li4团簇光吸收谱的测量对象,在密度泛函理论......
经超额Ba激活的Ag-BaO复合薄膜光吸收谱显示,该薄膜样品在可见-近红外光波段存在2个吸收峰.理论分析表明,位于可见光区的主吸收峰......
利用U-3010紫外可见分光光度计检测了不同增感条件下AgCl立方体乳剂的光吸收谱。实验结果表明：化学增感后样片的光吸收谱基本与未增......
用密度矩阵理论,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱.在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收......
利用硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶, 在Si单晶内形成一些单空位和双空位, 通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02的双空位缺陷, 以及......
利用包括实散射的闭合轨道理论和分区自洽的迭代算法, 计算了标度能量为ε=-0.03 , 标度电场=0.01时的平行电磁场中n≈40, m=0的Li......
用修正的Mie理论,模拟计算分析了（Ag,Cu）/SiO2、（Au,Cu）/SiO2、（Ag,Au）/SiO2合金纳米颗粒分散体系的理论吸收光谱。研究发现当二元金属纳......
研究了玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光．在10K温度下，通过PL和吸收光谱实验，研究了半导体CdSSe量子点，并进行了变温测量．分析了半......
用光吸收谱法对3种常见的碳化硅单晶多型结构进行鉴别，结果显示，4H-、6H-及15R-碳化硅多型体结构的光吸收谱的吸收边位置有明显差别，......
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了富硅氧化硅薄膜,利用XRD衍射仪,傅里叶变换红外透射光谱仪以及紫外-可见光分光光度计......
在测试了仅含有Fe2+–Ti4+离子对的合成刚玉的光吸收谱的基础上,对山东昌乐深蓝色蓝宝石的光吸收谱和偏振吸收谱进行测试,在其光吸......
期刊
文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi 2Se 3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当......
用脉冲激光沉积（PLD）法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜的测试......
采用自悬浮定向流技术制备银团簇纳米颗粒，理论分析了银团簇的成核机理与影响因素，实验研究了制备条件和工艺。结果表明：惰性气体的冷......
近年来,随着纳米制备技术的快速发展,低维半导体纳米异质结构因其特有的量子尺寸效应、量子隧穿效应、量子霍尔效应以及非线性光学......
半导体系统的光学和电学性质强烈地受到外加的电场和磁场影响，在外加电场和磁场作用下表现出许多有趣的物理效应和现象，并在实际光电......
用金属有机物气相外延（ Ｍ Ｏ Ｖ Ｐ Ｅ）方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓（ Ｇａ Ｎ）缓冲层，以及在缓冲层上继续生长了 Ｇａ Ｎ 外延......
紫色翡翠的颜色成因至今尚未有较一致的认识。本文选取缅甸的白色、淡粉紫色和淡蓝紫色3种颜色类型翡翠样品,对其颜色成因进行了初......
