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AlGaN基LED芯片是新一代固态光源,具有节能、寿命长、用途广泛、波长从深紫外到蓝光波段连续可调等优势,可用于医疗消毒、工业固化......
纳米硅(nc-Si)薄膜作为半导体材料中的重要一员，其制备方法及性能研究已经成为国际上的热点之一。本文利用一种激光干涉诱导结晶的......
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反......
可见光通信具有保密性好、传输速率高、无电磁辐射、环保安全等优点,可以作为缓解频谱资源紧缺的一种通信方案,是目前研究的前沿技......
利用有限时域差分法研究近紫外垂直结构LED的光萃取效率的影响因素。结果显示,LED的光萃取效率随p-GaN层厚度的变化呈周期性振荡变......
通过TracePro光学仿真软件的模拟仿真，研究了不同侧面倾角对LED芯片光萃取效率的影响。建立了侧面倾角为0°、15°、30......
垂直结构GaN基LED因为具有良好的散热性能和均匀的电流扩展,已成为了GaN基LED的研究热点。然而,垂直结构LED的制备工艺复杂且不成......
利用FDTD方法研究具有表面微纳结构氮化镓基倒装薄膜LED芯片的光萃取效率。通过优化表面结构并研究了器件的光萃取效率随p-Ga N层......
Ⅲ-Ⅴ族化合物被誉为是第三代半导体材料,其中由于氮化物具有宽的禁带宽度、高电子迁移率、发光效率高以及频率高等特点,被广泛的......
