碲镉汞材料相关论文
液相外延是碲镉汞（MCT）薄膜生长领域最成熟的一种方法，被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。然而由于MCT材料自身属性和具体制备......
阐述了针对第三代红外焦平面的应用需求所进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积......
采用等温气相外延方法(ISOVPE)在CdZnTe衬底上生长出碲镉汞外延材料结构,在此基础上研制出具有集成浸没透镜结构并在近室温条件下......
本文利用迁移率谱技术分析了离子束刻蚀后的碲镉汞材料,发现p型碲镉汞材料在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成......
采用飞秒脉冲激光对p型碲镉汞材料进行辐照损伤研究,激光束诱导电流(LBIC)检测表明,P型碲镉汞材料经激光辐射后局部电学性质发生了......
窄禁带碲镉汞为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。两个温度点的霍尔测试并不能很好的表征碲镉汞材料的性质。本文先通过......
在碲镉汞红外探测器的制备过程中,常常需要准确获得其p-n结的结深.由于碲镉汞材料的特殊性质,很多用于其他半导体材料的常规方法都......
本文采用变面积结构测试方法获得了长波碲镉汞材料的少子扩散长度.介绍了该方法的理论基础,并根据实验数据计算拟合得到了扩散长度......
工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了......
工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了......
碲镉汞(HgCdTe)作为我国战略性高技术——红外光电技术的重要基础材料，其优越性充分体现在军事、航天等高端红外探测应用领域。随着......
基于碲镉汞(HgCdTe)材料的第三代红外焦平面技术己成为当前该领域国际竞争的焦点，在此跨代发展中对支撑该技术的物理机理认识提出了......
第三代HgCdTe红外焦平面列阵技术向多光谱、大规模的发展过程中，分子束外延(MBE)技术面临扩大外延面积、精确控制原位掺杂等技术挑......
以大规模、多色、单光子、甚长波等为标志的第三代HgCdTe红外焦平面探测器在2000年后得到了迅速的发展，在军事、遥感、空间科学探测......
由于空间遥感探测的需求，甚长波红外焦平面探测器成为了第三代红外焦平面器件的发展方向之一，碲镉汞因为其众多的优势成为红外探测器......
本论文针对碲镉汞长波探测器的要求，以制备高性能的长波碲镉汞探测器为目标，对碲镉汞弱p型长波材料、工艺及制备进行了较为深入的研......
利用晶体结构能带理论分析、获得了不同热应力状态下闪锌矿结构碲镉汞材料禁带宽度的变化规律,同时通过实验测试得到了不同热应力......
本论文利用基于密度泛函近似的第一性原理方法，研究了三种材料的电子结构和光学性质。本论文主要包括以下几方面的内容： 首先，本文......
碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一.利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞......
用分子束外延(MBE)方法生长了Ⅱ-Ⅵ族本征甚长波红外(VLWIR,λc约为20μm～50μm)材料--HgCdTe合金和HgCdTe/CdTe超晶格.用X射线衍射......
选用组分均匀的碲镉汞Hg1-xCdxTe晶片(x＝0.170-0.300 mole CdTe),在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱,取透射比为5%......
简要说明了红外探测器的种类和优缺点,着重介绍了碲镉汞(MCT,HgCdTe)特别是外延生长的HgCdTe薄膜材料,在红外探测技术发展中的地位......
本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复......
详细说明了用微波反射光电导衰减 (μ PCD)测量碲镉汞材料 (MCT)中少数载流子寿命的原理。μ PCD系统对样品少数载流子寿命的测量......
少数载流子寿命是长波红外ＨｇＣｄＴｅ材料的重要性能参数。从大量实际数据统计中发现长波红外ｎ型ＨｇＣｄＴｅ材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载......
介绍了两种测量半导体材料载流子双极迁移率的原理和方法。用载流子漂移实验方法测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）材料在８０Ｋ时的双极迁移率，讨论了测量条件对双......
测量了３种不同生长方法制备的长波红外碲镉汞晶体载流子寿命的温度变化关系，与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明，优......
几千里外一个伪装的军事目标，，哥然被一丁点薄如蝉翼的碲镉汞材料探测出来。这是因为世界上任何物体都会发出人眼看不到的红外光，而用......
利用拉曼显微镜在室温下对金属有机化合物气相外延(MOVPE)和液相外延(LPE)方法生长的Hg1-xCdxTe薄膜材料以及用加速坩埚旋转布里奇......
对B+注入的n-on-p平面结和分子束外延(MBE)技术原位铟掺杂的n+-n-p台面异质结的碲镉汞(HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分......
本发明提供一种多色红外传感器件，即单片多色红外成像列阵。这种器件是通过用分子束外延(MBE)将碲镉汞材料结构直接生长在定制的读......
0引言在过去的50多年中,采用碲镉汞材料的红外探测器技术发生了很大的变化,从整块晶体生长和单个光电探测器制备发展到了非常复杂......
本发明公开了一种碲镉汞材料在离子注入形成P—N结过程中对材料产生损伤的修复方法。该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P......
碲镉汞材料由于其可调的禁带宽度、电子迁移率高、较高的量子效率等优点在红外探测领域有非常重要的应用价值。碲镉汞的禁带宽度随......
