远红外探测技术的进展

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【摘要】

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用分子束外延(MBE)方法生长了Ⅱ-Ⅵ族本征甚长波红外(VLWIR,λc约为20μm～50μm)材料--HgCdTe合金和HgCdTe/CdTe超晶格.用X射线衍射、常规傅里叶变换光谱学、霍尔效应测量技术

【作者】

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顾聚兴

【出处】

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红外

【发表日期】

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2004年2期

【关键词】

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分子束外延远红外探测碲镉汞材料探测器 Ⅱ-Ⅵ族超晶格霍尔效应傅里叶变换光谱学透射电子显微技术

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用分子束外延(MBE)方法生长了Ⅱ-Ⅵ族本征甚长波红外(VLWIR,λc约为20μm～50μm)材料--HgCdTe合金和HgCdTe/CdTe超晶格.用X射线衍射、常规傅里叶变换光谱学、霍尔效应测量技术和透射电子显微技术(TEM)对外延层进行了表征.为了验证这些材料在甚长波红外谱区的适用性,用这些材料制成了光导器件并测得了它们的光谱响应.

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