电流崩塌效应相关论文
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件受制于陷阱效应，建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型（ASM-H......
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研......
对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.S......
本文系统研究了AlGaN/GaN HEMT 器件采用SiN 介质钝化前后的电流崩塌效应。通过系统研究和优化SiN 介质薄膜钝化工艺，有效的抑制了......
电力电子技术正朝着高速、高能效、高功率密度方向发展，而传统Si基电力电子器件受到导通电阻大、反向恢复时间长、高温性能退化等因......
电流崩塌效应(Current collapse)是影响AIGaN/GaN HEMT器件在微波大功率领域大规模应用的主要因素。随着表面电子陷阱被来自栅电极......
采用应力测试方法,获得了AlGaN／GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系。实验结果表明, 应力导致漏极电流崩塌56．2％;不同电压应力条件下,......
对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌......
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG......
电流崩塌效应是限制AlGaN／GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素，文中从器件研制的角度研究了AlGaN／GaN HFET的电流崩塌效应。研究结......
对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌......
源于AlGaN／GaNHEMT器件的大量测试分析发现，栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47％；随着信号频率的改变，漏极电流按脚μnCur[α＋（0. ......
采用应力测试方法，获得了AlGaN／GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系。实验结果表叫，应力导致漏极电流崩塌56．2％：不同电压应力条件下，只要所......
基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道......
基于GaN HEMT器件物理和实验分析测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应的新物理模型.研究表明,在大漏极电压条件下,沟道电子易于注......
比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入......
基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点.大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约5......
简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器......
提出一种新型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)结构改善器件的电流崩塌效应,对新结构器件的电流崩塌效应改善机制和有效性进行......
近年来,由于微波技术的不断发展,微波半导体器件已经在无线通信、遥测系统、导航以及军事领域取得了广泛的应用。GaN作为第三代半......
目前,AlGaN/GaN HEMT因其卓越的性能受到了广泛的关注,已被越来越多地应用于高频及大功率领域。但是,由于器件存在电流崩塌效应等......
