深能级相关论文
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上生长的In GaN/GaN多量子阱（MQW）结构中存在大量的深能级,电子空穴在多量子阱中......
用深能级瞬态谱（DLTS）研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置......
热电材料作为一种半导体材料,能够实现电与热之间相互转换,最大的特点是可以利用自然界存在的温差来为人类提供热电发电,因此能大......
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关......
六角纤锌矿结构的氧化锌是一种重要的宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温下带隙为3.37eV。氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60me......
学位
该文介绍了采用电子束蒸发方法在Si衬底上制备出了高纯度的金属锌膜,然后通过二次退火得到了具有六角结构的高质量氧化锌多晶薄膜......
主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱( InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实......
为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量......
期刊
发展了恒温电容瞬态数据处理方法,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICTTS方法测量分析了C70固体/p-GaAs异质结的深能级,......
利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样......
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300 K)光电流谱,在0.40～0.70 eV范围发现了一个光响应宽带M1.M1带在0.46、0.49、0.56、0.6......
我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响.表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱,由于电子陷阱俘获导带电......
采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,......
AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个......
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,制备了高表面光洁度(其表面的高度标准偏差约为8.6nm)的纳米金刚石薄膜,在其表面上制作......
以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌｍａｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ３键杂质对后阳离子位杂质Ａ１对称性......
期刊
采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含M......
应用红外光电导谱研究半绝缘p型Zn0.04Cd0.96Te中的深能级，在温度从4.2到165K范围内，观察到了位于0.24，0.34，0.38，0.47，0.55和0.80eV处6......
期刊
利用光电容法探测了薄膜电致发光(TFEL)器件的深能级并比较器件的多层结构(ITO/SiO_2/ZnS:Mn/SiO_2/SiO/Al)与单层结构的光电容谱,......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有......
应用深能级瞬态谱（DLTS）技术，首次研究了GaAs0.55P0．45红色发光二极管少子陷阱。结果表明，GaAs0.55P0．45红色发光二极管有一个少子陷阱；并......
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积氧化锌薄膜，并对样品分别作氮气、空气、氧气等不同条件下退火处理。为研究退火气氛对ZnO／Si薄膜中缺......
确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素，以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时......
详细阐述了光生电流瞬态谱（PICTS）的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮......
对光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明:在低频段,光电耦合器件的......
报道基于高电子迁移率晶体管（HEMT）结构的InAs／GaAs量子点存储器，它既可以在室温下工作，又可以完全由栅极电压来控制其存储状态．在室温下......
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池由于具有材料成本低廉、能量转换效率高和易加工制备等优点,成为近年来光伏领域的研究热点。经过短......
采用热激电流法对ZnS:Er交流薄膜电致发光器件中深能级的测量结果,推测了几种深能级的产生机制.......
采用皮秒泵浦-探测方法研究了碲镉汞材料中非平衡载流子动力学过程,发现其差分透射强度在经过饱和之后出现一个负的极小值,归结为......
氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的的宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体材料，室温下能带带隙Eg为3.37eV。由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束......
介绍了深能级瞬态谱（DLTS）的基本原理,作了n型样品的深能级瞬态谱的计算。描述了DLTS信号的仿真方法,对n型6H-SiC中的一个深能级陷阱......
材料纯度、生长工艺、退火条件均会影响半导体材料中的杂质或缺陷能级状态,如何精确测量半导体中的能级位置、俘获截面及浓度是进......
用Laplace缺陷谱仪(LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中Sn DX 中心上电子发射引起的非指数瞬态,发现它们起因于混......
传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.......
分别将特定杂质铜和铝引入多孔硅后,观察到了杂质铜和铝所引起的附加发光带:对于没有掺铜的多孔硅,其光致发光谱只有一个发光带;而......
本文报导半绝缘GaAs:Cr的低压和低频电流振荡现象,在室温下系统地测量电流和电压关系的伏安特性,并进一步研究在红外和可见光辐照......
用电流DLTS方法测量了N型Si中S形成的E1—E5 5个深能级。除E1,E2能级对应过去报争的S双施主外,E3=Ec-0.31ev,E4=Ec-0.16ev,E5=Ec-0......
期刊
木文在文献[5,6]所发展的在位缺陷势格林函数方法基础上,进一步讨论Si中短程缺陷势引入的T2对称深能级波函数性质。第一次给出了Si......
应用泵浦-探测方法研究了GaInNAs载流子动力学.差分透射强度随时间变化曲线表明,深能级中被俘获电子在光学瞬态吸收中起重要作用.......
对所研制的短波光伏碲镉汞器件进行了变温电流 电压特性和低频噪声研究 ,测试温度范围 2 5 5— 2 93K .实验结果表明随着温度的下......
宽直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料ZnO，由于其光电特性受缺陷影响较小，激子束缚能较高（60meV，GaN为25meV），体材料可得，生长温度较低（可在2......
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本文在紧束缚近似下,利用Koster-Slater格林函数方法,研究了硅中代位式三原子集团D30（S30,Se30,Te30）和四原子集团D40（S40,Se40,Te40）......
采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含M......
应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在......
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件......
本文用DLTS谱仪研究了SiO2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器......
期刊
在研究难熔金属氮化物／n－GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时，发现势垒特性随温度（700～850℃）提高而有所改善。深入研究发现，在负偏压......
