材料去除速率相关论文
研磨作为4H碳化硅（4H-SiC）晶片加工的重要工序之一，对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-S......
氧化铈（CeO2）磨料在化学机械抛光（CMP）效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提......
具有大小双叶片的扩压器能够改善压气机的性能，在航空发动机中得到广泛应用。此类构件多采用高温合金等难切削材料制造，传统铣削加工......
电子信息产业进入高速发展阶段,钽酸锂晶体成为信息技术产业信息集成、调制、传输、显示等领域所生产压电、声光、激光等器件不可......
集成电路技术节点已经发展到14nm及以下,传统阻挡层材料(Ta/Ta N)出现与铜(Cu)的粘附性变差、可靠性降低等一系列问题已经无法满足......
单晶蓝宝石因其具有优异的物理和化学性能,在国防武器装备和民生领域具有广泛的应用前景。高性能装备对单晶蓝宝石表面质量要求十......
在计算机硬盘技术中，随着硬盘存储器容量及存储密度的快速上升，对磁头磁盘的表面质量要求也越来越高，化学机械抛光(Chemical Mechanic......
化学机械抛光(CMP)作为超大规模集成电路制造(ULSI)工艺中公认的最佳平坦化加工工艺,已成为ULSI制造中不可或缺的技术。为满足ULSI......
研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(00......
通过化学镀镍的方法,在金刚石磨粒表面包覆一层Ni-P合金层;采用不同包覆率的金刚石磨料制备固结磨料研磨垫;通过SEM观察分析金刚石......
以CeO_(2)为磨料配制抛光液,研究了磨料质量分数、pH及添加剂对SiO_(2)介质去除速率和表面粗糙度的影响。结果表明,在抛光液的磨料......
研究了SiC衬底（0001）面和（000．1）面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10-38和1．11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的（0001）Si面和（000-1）C面进......
针对微细电火花加工中材料去除速率受进给速度影响的问题,通过机理分析、数值仿真和工艺实验探索研究了微细电火花加工中材料去除......
为了解决铜在研磨过程中铜屑黏附减小了容屑空间,易导致研磨垫钝化问题,本文尝试在亲水性固结磨料研磨垫（FAP）内部添加硫酸镁晶体,利......
通过单因素法研究了抛光液中的各组分(双氧水、络合剂乙二胺、缓蚀剂BTA)的浓度对固结磨料抛光铜材的表面粗糙度及材料去除速率的......
黏结剂把持磨粒的能力对固结磨料研磨垫的加工性能有重要影响。选择K9玻璃作为加工对象、不饱和树脂作为黏结剂，通过沉积法在金刚石......
为了探索亲水性固结磨料研磨垫（FAP）的基体特性与其加工性能之间的关系,采用三种不同硬度的树脂基体作为黏结剂,通过添加碳化硅颗粒......
以纳米CeO_2为磨料自制抛光液,研究磨料质量分数、pH值、抛光液流量、抛光盘转速、表面活性剂种类和氟化铵质量分数等因素对微晶玻......
为研究材料特性对亲水性固结磨料研磨垫的加工性能影响,本文研究了K9玻璃和硅片两种材料在不同加工顺序下研磨过程中的声发射信号......
从相对运动的角度出发，首先分析了在固结磨料抛光中工具与工件的相对运动轨迹。而后从纯机械去除的角度出发，利用有限元的思想，建立了......
研磨液中的化学添加剂对于蓝宝石晶圆的高效超光滑表面加工至关重要.文中开展了固结磨料研磨蓝宝石晶圆的实验研究,探索了不同乙二......
利用极化曲线测量法研究了甘氨酸和过氧化氢浓度及pH对硅通孔(TSV)化学机械平坦化(CMP)中铜腐蚀的影响。结果表明:甘氨酸对铜的腐......
蓝宝石单晶因具有良好的机械和光学性能,在武器装备和国民经济诸多领域的应用逐步扩大。但由于蓝宝石单晶硬度高、脆性大且化学性......
氧化剂是铜互连化学机械抛光液的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化效率的重要影响因素。双氧水(H2O2)是抛光液中最常用的氧化......
流体动压超光滑加工材料去除主要受工件表面流体动压和剪切分布的影响,根据材料去除的理论模型分析了影响材料去除的关键工艺参数......
化学机械抛光(CMP)是精密光学器件制造业中运用最广泛的一种表面平坦化技术,而磨料的化学组成和物理性质对CMP过程有十分重要的影......
在固结磨料化学机械抛光中,工件表面与抛光介质易发生水解反应,产生软化层,而软化层厚度直接影响材料去除速率及表面质量。本文采......
化学机械抛光 (chemicalmechanicalpolishing ,CMP)是用于获取原子级平面度的有效手段 .目前 ,CMP的抛光液通常使用纳米级颗粒来加......
本论文针对化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing)技术进行研究,化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing)技术能够实......
第一章,概述了化学机械抛光技术与应用现状,综述了影响化学机械抛光结果的关键因素及机理。随后概述了硬脆材料（A向蓝宝石和微晶玻......
化学机械抛光(CMP)作为目前唯一的全局平坦化技术,在ULSI的制备工艺中起着非常重要的作用。CMP的关键技术之一是抛光浆料,抛光浆料......
对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数（类型、质量分数和粒径）对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响。实验......
研磨加工的材料去除速率受到磨料、研磨液、工件材料等诸多因素的影响。本文采用分量处理法把影响材料去除速率的因素逐项分解,开......
以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,过氧化氢为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米氧化铈粉体,......
主要对分立器件硅衬底化学机械平坦化(CMP)进行了研究。首先通过正交实验方法研究活性剂、螯合剂、磨料浓度和有机碱对硅材料去除......
采用金刚石丸片和固结磨料抛光垫两种方式研磨加工硅片,以硅片的材料去除率（MRR）和表面粗糙度（Sa）为指标对金刚石丸片和固结磨料抛光垫......
在化学机械抛光(CMP)用二氧化硅浆料中加入不同质量分数的混合保湿剂(由体积比为1∶1的分析纯丙三醇和三乙醇胺混合而成),以解决CM......
