电子信息产业进入高速发展阶段,钽酸锂晶体成为信息技术产业信息集成、调制、传输、显示等领域所生产压电、声光、激光等器件不可缺少的材料。高性能的电子器件要求钽酸锂晶体表面晶格完整,且无缺陷。传统的抛光技术很难获得高质量表面。化学机械抛光（CMP）作为唯一能实现全局平坦化的技术,已经广泛应用于金属、半导体等材料表面超精密加工。国内外有关钽酸锂晶圆CMP研究文献相对较少,钽酸锂晶圆CMP工艺尚不成熟,且抛光液是CMP过程中晶圆获得高去除速率及高表面质量的关键因素之一。所以,研究用于钽酸锂的抛光液,具有重要的现实意义。在确定抛光液磨料的研究中,本文首先对比了三种磨料体系（CeO2、Al2O3、SiO2）的抛光液对钽酸锂晶圆抛光性能的影响。并以材料去除速率、表面形貌和表面粗糙度为依据,初步得到,最适合钽酸锂材料的磨料体系为SiO2磨料体系。进一步对比了4种单一粒径（40 nm、60 nm、80 nm、100 nm）的SiO2磨料对材料的去除速率,得到60 nm的SiO2能获得最高去除速率。材料去除速率随着SiO2磨料浓度增加而增加。最后研究了相同质量分数磨料浓度,两两单一粒径混合对钽酸锂材料的去除速率,其中60 nm与80 nm的混合SiO2磨料获得的速率最高,并高于60 nm SiO2磨料获得的去除速率。以SiO2作为钽酸锂CMP的磨料,分别研究了碱金属离子盐体系和双氧水体系的抛光液对钽酸锂材料去除速率及表面粗糙度的影响。在碱金属离子盐体系下,对比了K+和Na+对钽酸锂去除速率的影响,对硅溶胶的粒径和Zeta电位进行了表征,并结合XPS对KCl溶液浸泡后晶圆表面成分分析,得到了抛光液中添加碱金属盐对钽酸锂CMP的机理。相同浓度的K+在增加SiO2粒径、降低静电斥力、交换Li+方面更具有优势,进而能获得更高去除速率。最终在10 wt%,粒径60 nm与80 nm的混合SiO2磨料中,加入0.14 M的KCl,p H为9的抛光液CMP后得到晶圆去除速率135 nm/min,表面粗糙度（Sq）为0.30 nm。在双氧水体系下,研究了双氧水、酒石酸钾、柠檬酸钾浓度,抛光液的p H值对钽酸锂去除速率的影响。通过单一变量法,得到了双氧水体系下最佳添加剂配比,分析了双氧水体系下,柠檬酸根作用于钽酸锂CMP过程的去除机理。最终在10 wt%,粒径60 nm与80 nm的混合SiO2磨料中,加入2 wt%的H2O2,2 wt%的柠檬酸钾,p H为8的抛光液CMP后得到晶圆的去除速率为182 nm/min,Sq为0.26 nm。