开关电流比相关论文
设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩......
以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶......
通过使用工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真技术提出了一种新型的带有夹层的垂直U型栅极隧穿场效应晶体管(TFET)结构。该器件是通过优......
MOSFET作为半导体集成电路中不可或缺的元器件,为集成电路的快速发展做出了极大的贡献。但随着集成电路特征尺寸到达纳米级,MOSFET......
目前,低温溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管是液晶显示技术发展的趋势,利用In2O3前驱体溶液成功制备了高性能薄膜晶体管(TFT).In2O3......
同传统的半导体紫外探测器相比，单根纳米线紫外探测器表现出灵敏度的极大提高。但由于纳米线尺寸微小导致的巨大电阻，单根纳米线......
自从科学工作者通过掺杂使聚乙炔薄膜由绝缘体变成导体以来，掀起了有机导体和半导体的研究热潮。其研究工作包括有机高分子功能材料......
以硅单晶片作为衬底且充当栅电极,在衬底上热生长二氧化硅薄膜作为栅介质层,磁控溅射制备的氧化锌薄膜作为半导体活性层,真空蒸镀......
在聚乙烯基对苯二酸酯基片上依次制备氧化铟锡电极、聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层、并五苯半导体层和金电极, 得到了柔性全有机薄膜场效......
选用五氧化二钽（Ta2O5）-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）复合材料作为栅绝缘层制备了并五苯有机场效应晶体管（OFETs）。通过在Ta2O5表面旋涂一层PM......
本文提出一种源漏轻掺杂异质栅结构石墨烯纳米条带场效应晶体管GrapheneNano Ribbon Field-effect Transistor（HMG-LDDS-GNR-FET），采......
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利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关......
近年来,有机薄膜场效应晶体管成为人们研究的热点。本论文利用真空生长系统和自行制备的水平汽相生长系统生长出质量较好的并五苯......
本文进行了如下具有创新性的研究工作。在自行设计的水平式有机晶体的气相沉积装置中,进行了并五苯单晶薄膜的重复性再生长研究。......
有机薄膜场效应晶体管(OTFT)是有机电子学中的重要前沿课题,对于晶体管的性能和载流子传输机理的研究是该领域的重要研究方向。本......
学位
为了提高SiO2单绝缘层器件的性能，在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50nm厚度的PMMA。实验结果表明用无机／有机双绝缘层可......
随着集成电路的不断发展,其重要组成元件——金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,M......
石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广......
制作了以并五苯为半导体有源层材料的有机薄膜晶体管。用热氧化的方法制备了一层230nm的二氧化硅栅绝缘层并用原子力显微镜(AFM)分......
有机场效应晶体管存储器是有机电子学大家庭中的核心成员。有机场效应晶体管存储器具有非破坏性读取、易与有机电路集成、制备工艺......
学位
MOS晶体管是当今世界的主流,它具有很好的电学特性,但是其物理尺寸已接近极限而且功耗大等问题日益突出。为了适应未来集成电路发......
学位
随着半导体技术的不断进步,晶体管特征尺寸已缩短至纳米范畴,当器件沟道长度小于10nm以后,制造沟道PN结的工艺变得更为困难。基于......
本文的主要研究方向为利用修饰层提高和改善并五苯有机薄膜晶体管(Organic Thin-Film Transistors, OTFT)的电学特性,并且研究了性......
